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HMC6147ALC5A/HMC6147ALC5ATR小型MMIC I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:33:00 HMC6147ALC5A就是款緊密型GaAs MMIC I/Q下直流變頻空調器，所通過無引腳RoHS兼容型SMT封裝形式。 該元器件出具13 dB小表現轉變成增益值，存在25 dBc邊帶調節。 HMC6147ALC5A所通過低噪音放小器來帶動下載I/Q混頻器，LO由X2倍頻器帶動下載。

HMC6789BLC5A/HMC6789BLC5ATR陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝 ADI現貨

2018-07-03 10:27:08 HMC6789BLC5A就是一款緊密型GaAs MMIC I/Q下變頻式器，運用包含RoHS標準的的12引腳、陶瓷制品無鉛集成塊各種載體(LCC)裝封。該配件保證14 dB的小網絡信號準換收獲和25 dBc的鏡像軟件調節機械性能。HMC6789BLC5A運用低躁聲調大器驅程下載I/Q混頻器，中僅LO由x2乘法器驅程下載

HMC1065LP4E/HMC1065LP4ETR鏡像抑制低噪聲變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:19:31 HMC1065LP4E一款緊促型GaAs MMIC鏡像文件系統遏制低低頻噪音直流變頻空調器，適用不符合RoHS條件的無鉛SMT打包封裝。 該元件提供了13 dB的小信息變換增益控制，17 dBc的鏡像文件系統遏制和-2 dBm導入IP3。 HMC1065LP4E充分利用RF LNA和由有源X2倍頻器控制的I/Q混頻器工作中。

HMC1113LP5E/HMC1113LP5ETR表貼封裝緊湊型下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:16:58 HMC1113LP5E不是款主體工程型GaAs MMIC I/Q下變頻式器，應用無鉛5 x 5 mm低剛度注塑成型塑表貼封口。 該元件提供數據12 dB的小信號燈更換收獲、1.8 dB的躁音指數公式和25 dBc的鏡象文件克制性。 HMC1113LP5E應用LNA，后接由LO緩存器調大器驅動器的鏡象文件克制混頻器。

HMC951BLP4E/HMC951BLP4ETR小型 I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-02 15:16:32 HMC951B也是款緊湊suv型GaAs MMIC I/Q下abb變頻器器，通過適用RoHS標準規定的無引腳SMT封裝。 該集成電路芯片在一整個頻段超范圍內給出13 dB的小衛星信號轉變增加收益、2 dB的噪音指數和24 dB的iso鏡像軟件緩和效果。 HMC951B通過LNA，后接由LO緩存器增加器驅動程序的iso鏡像軟件緩和混頻器。

HMC8108LC5/HMC8108LC5TR緊湊型X頻段單芯片低噪聲轉換器 ADI現貨

2018-07-02 15:06:38 HMC8108都是款家用suv轎車型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單電源處理芯片微波微波射頻集成型電源線路(MMIC)同相正交(I/Q)低噪音轉移器，選擇合乎RoHS準則的淘瓷無鉛電源處理芯片質粒載體封裝。HMC8108將比率為9 GHz至10 GHz的微波射頻(RF)填寫網絡無線信號轉移為模擬輸出新風系統的60 MHz經典單端中頻(IF)網絡無線信號。

HMC1056LP4BE/HMC1056LP4BETR無鉛SMT封裝混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:53:27 HMC1056LP4BE一款主體工程型I/Q MMIC混頻器，通過了“無鉛”SMT打包封裝，能用的 作系統鏡像抑制作用混頻器或單向帶上去直流變頻器這一物件。 該混頻器通過了一兩個規范Hittite雙動平衡混頻器單位和一兩個九十度融合器材，均通過了GaAs Schottky整流二極管技藝生產加工。

HMC1063LP3E/HMC1063LP3ETR緊湊型I/Q MMIC混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:41:15 HMC1063LP3E不是款主體工程型I/Q MMIC混頻器，按照“無鉛”SMT封口，可作系統鏡像可抑制混頻器或單側帶電池直流變頻調速器。 該混頻器按照5個規范標準Hittite雙動態平衡混頻器單元測試卷和一些180度相混電子元件，均按照GaAs Schottky二級管工藝技術生產。

Qorvo推出QPM2637/QPM1002用于雷達應用的超緊湊X波段FEM Qorvo現貨代理商

2018-07-02 14:30:32 Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 保持在Qorvo的氮化鎵工藝條件下，該工藝可改變更加高的錯誤率，安全可靠，公率和可長期生存性，并可合理安排圖片尺寸，克重和價格。所有FEM將至關重要的T / R摸塊模塊集成化到的寬敞的封口中：T / R觸點開關，公率調小器和低噪音源調小器（LNA）。

HMC520ALC4/HMC520ALC4TR單芯片同相正交(I/Q)混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:55:30 HMC520A就是一款砷化鎵(GaAs)單集成式控制電路集成電路芯片徽波集成式控制電路(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，應用不符合RoHS要求的24引腳、瓷磚無鉛集成式控制電路集成電路芯片平臺(LCC)封裝。該電子元件需用作鏡像系統抑制作用混頻器或單向帶電池軟啟動器。

HMC8191LC4/HMC8191LC4TR無源混頻器芯片 ADI現貨代理商

2018-07-02 11:48:52 HMC8191是款無源寬帶網絡I/Q單處理器徽波ibms電源電路(MMIC)混頻器，可以使用作傳輸器鏡像文件抑止混頻器或射器一側攜帶直流變頻空調器。HMC8191擁有6 GHz至26.5 GHz的頻射(RF)和本振(LO)的空間、DC至5 GHz的中頻(IF)資源帶寬，非常的滿足須得寬頻點的空間

HMC524ALC3B/HMC524ALC3BTR緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:41:18 HMC524ALC3B一款家用suvsuv型GaAs MMIC I/Q混頻器，選用符合原則RoHS原則的無引腳SMT陶瓷廠家二極管封裝。 該電子元元件可以選擇作iso鏡像減緩混頻器或一側戴上變頻器。 該混頻器選用兩原則雙動平衡混頻器單元和是一個九十度混后電子元元件，均選用GaAs MESFET的工藝研發。

HMC498LC4/HMC498LC4TR高動態范圍功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 13:47:59 HMC498LC4是一個款高動態信息區域GaAs PHEMT MMIC中低檔瓦數圖像輸出功率增加器，主要采用無引腳“無鉛”SMT封口。 該圖像輸出功率增加器都具有17至24 GHz的上班區域，提高22 dB增加收益、+26 dBm是處于飽和狀態瓦數和23% PAE（+5V電源線額定電壓）。

HMC383LC4/HMC383LC4TR通用MMIC驅動放大器 ADI現貨代理商

2018-06-29 13:42:06 HMC383LC4不是款互通GaAs PHEMT MMIC能夠變成器，利用達到RoHS標準單位的無引腳SMT封口。 該變成器利用+5V單電，增益值控制為15 dB，過飽和馬力為+18 dBm。 在一整塊本職工作頻寬內兼有同一的增益值控制和讀取馬力

HMC633LC4/HMC633LC4TR驅動放大器頻率5.5至17 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:41:51 HMC633LC4是款GaAs PHEMT MMIC驅動下載變大器，選擇無鉛4x4 mm表貼瓷質打包封裝，操作率比率為5.5至17 GHz。 該變大器供應高達模型30 dB的增益值、+30 dBm所在IP3及+23 dBm的所在額定功率

HMC634LC4/HMC634LC4TR驅動放大器陶瓷表貼封裝 ADI現貨

2018-06-29 11:34:17 HMC634LC4都是款GaAs PHEMT MMIC驅使拖動器，主要采用無鉛4x4 mm工業陶瓷表貼封口，工作上次數範圍為5至20 GHz。 該拖動器帶來了超過21 dB的收獲、+29 dBm效果IP3及+22 dBm的效果功效（1 dB收獲進行壓縮時），功能消耗為180 mA（+5V外接電源）。

HMC498/HMC498-SX功率放大器頻率范圍為17至24 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:21:07 HMC498不是款高情況領域GaAs PHEMT MMIC操作效率變大器，操作概率領域為17至24 GHz。 HMC498展示24 dB增益值，飽和狀態操作效率為+27 dBm，電源適配器電流值為+5V (25% PAE)。 因尺寸大小較小，HMC498變大器可更好集成式到多基帶芯片模塊電源(MCM)中。

HMC-APH596/HMC-APH596-SX兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 11:18:34 HMC-APH596是款有級GaAs HEMT MMIC中高熱效率圖像運放電路，做工作規律區域為16至33 GHz。 HMC-APH596帶來17 dB收獲，主要采用+5V電原額定電壓時具+24 dBm輸出電壓熱效率（1 dB解壓縮）。

RFGA2012低功耗線性放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 17:16:12 Qorvo的RFGA2012專業設計構思在以面值最小的直流電源效率確保高OIP3。超直線功效已在150MHz至3GHz的規則頻段中贏得證明。RFGA2012有VBIAS引腳，合法用戶的對于不同需求seo外部電流值。VBIAS引腳也可以使用作掉電引腳。

RFGA0024高性能InGaP HBT MMIC放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 17:03:26 Qorvo的RFGA0024不是款高耐熱性InGaP HBT MMIC擴大器。RFGA0024的實物的有源偏置電線同意擴大器進行從5V電壓本職工作，并帶來了安全穩定的感應電流隨溫度變動沒收違法所得理Beta變動。這件達林頓擴大器的實物的篩選熱敏電阻為50歐姆，尤其更適合還要小長度和數最多異常元器件封裝的應用領域。

RFGA0014低成本寬帶增益MMIC放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 16:46:56 Qorvo的RFGA0014有的是款性能較高方面InGaP HBT MMIC增加器。RFGA0014的內外人員有源偏置用電線路限制增加器馬上從5V開關電源工作的，并提高平衡的工作電流隨攝氏度變化沒收違法所得理Beta變化。是一款達林頓增加器的內外人員篩選內阻為50歐姆，越來越合適要求小規格尺寸和最高外部結構元器件封裝的應用軟件。

RF5633驅動器級線性功率放大器IC 5 V線性功率放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:39:52 Qorvo的RF5633是專為終結或驅動程序器級應該用設置的線型工率放小器IC。該元器主要采用代有正反面接地極的無引線處理器膜蛋白。RF5633設置用來在廣的室內溫度和工率讀取依據內做到線型。靜態符合為二個頻段的讀取工率帶來了可調式性。

RF5623中等線性功率放大器IC Qorvo現貨

2018-06-28 16:29:31 Qorvo的RF5623是專為中等水平工作電壓選用設定的線形工作電壓擴大器IC。該電子元器件利用高端的InGaP異質結雙極多晶體管（HBT）加工造成，設定用做802.16e發器的從而rf射頻擴大器。

RF3827高線性度的RF放大器IC 線性通用放大器Qorvo現貨

2018-06-28 16:21:13 Qorvo的RF3827是一種款通用的，低價格，高波形度的RF變小器IC。該元器利用砷化鎵生產技術手工制造，利用3mm x 3mm，16引腳QFN封口。它至關比較合適用于波形/低噪音污染變小器，這當中OIP3約等于38dBm，噪音污染指數公式不低于1.5dB。

RF3315高效率放大器 200 - 2200 MHz寬帶高線性度放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 16:06:31 Qorvo的RF3315也是款便捷率砷化鎵異質結雙極單晶體管（HBT）擴大器，利用低費用表面層貼裝打包封裝。該擴大器非常的適用人群于需200MHz至3GHz聲音頻率超范圍內的高波形度和低低頻噪音指數的應用。

RF3223表面貼裝封裝500 - 2000 MHz低噪聲，高線性驅動放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:03:29 Qorvo的RF3223一款通過了低費用表面層貼裝二極管封口的高質量GaAs異質結雙極晶胞管（HBT）增加器。該增加器十分采中用必須要 500MHz至3GHz次數范疇內的高非線性度和低噪音風機污染因子的應該用。RF3223通過了單5V24v電源輸電，通過了經濟社會的3mm x 3mm QFN二極管封口。

RF3220高效率砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）驅動放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 15:38:32 Qorvo的RF3220是一種款有高效益砷化鎵異質結雙極納米線管（HBT）縮放器，運用節省成本預算面貼裝打包封裝。該縮放器越來越支持于要有500MHz至3GHz頻繁使用范圍內的高非線性度和低噪音源公式的應運。RF3220運用單5V電源模塊供電公司，運用劃算的3mm x 3mm QFN打包封裝。

RF2162高功率高效率線性放大器IC Qorvo 3 V線性放大器現貨代理商

2018-06-28 15:23:18 Qorvo的RF2162是造成3V筆型系統的高瓦數高質量率線型調大器IC。該元器件封裝主要包括專業的砷化鎵異質結雙極硫化鋅管（HBT）方法營造，設計方案用在雙機制3V CDMA / AMPS筆型金額蜂窩設施擴頻系統和相關用中的終于RF調大器。 800MHz至960MHz頻段。

QPM1000集成式限幅器/ LNA高性能低噪聲放大器 Qorvo現貨出售

2018-06-28 15:20:09 Qorvo QPM1000是一種款融合系統式限幅器/ LNA，可在2-20GHz頻點超依據內給出穩建，高的功效。QPM1000在增益值值把控好下給出17 dB的小數據增益值值，在整體的頻點超依據內存在1.7 - 4 dB的低頻噪音公式，> 18 dBm P1dB。凡此種種，融合系統限幅器給出可高達4 W的入射效率的穩建性品質，而不是下降的功效。

美國AMCOM 微波設計制造公司 AMCOM代理商

2018-06-28 14:57:18 AMCOM成立集團于1997年16月，由一幫人在徽波電源線路制作和徽波集成電路芯片生產加工技能部分生產閱歷豐富性的徽波制作師構造。它座落在瑞典馬里蘭州市蓋瑟斯堡，距華盛頓東北約20英里。該集團做為智領的徽波制作組識享用盛譽，該組識涉及到電輸出效率FET，MMIC電輸出效率增加器或者帶RF和DC接入器的高電輸出效率增加器傳感器，某些傳感器已備好好用嗎于徽波設計。