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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低復制到和返還消耗巴倫變電器，由不均衡電機繞線和心中抽頭均衡電機繞線組合的均衡環，雙項傳承工作效率，兩位方面配備。North Hills巴倫斯細密施工低復制到和回波消耗。優異的均衡是使用不確定性軸對稱的組成部分來達到的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447超低頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫作為了檢測電路系統性質至1.2GHz的方便和一直的的辦法。超低頻巴倫符合任意角度的電位差，以及為低添加圖片和回波自然損耗實施了精密制造設計構思。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫配電變壓器，常見貸款用途1千赫茲- 125兆赫，由不取舍電機繞線和中心的抽頭取舍電機繞線分解成的取舍環，雙相遞送電機功率，的兩個方問連接。北山巴倫斯精密模具工程建設低進到這一領域和回波消耗。適宜的取舍是經由確定性相對性的格局來構建的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L光波低壓砷化鎵場不確定性納米線管AM010MH4-BI-R，HiFET是低壓、高操作操作功率、高線型和光纖寬帶選用的一部分相配發明權的設備設備。該集成電路芯片的總集成電路芯片外部為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高操作操作功率微波射頻選用而設計制作的，操作聲音頻率自由高達3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S光波高收獲高效率砷化鎵場反應單晶體管AM120MH2-BI-R，HIFET是大部分配比的專屬環保設備配值，用做高電壓降、高效率和聯通寬帶利用軟件。該元集成電路芯片的總元集成電路芯片內圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高效率紅外光利用軟件而設定的的，工作任務速度超過6GHz。BI款型選取另外一種異常設定的的瓷磚二極管封裝，擁有變形或直線行駛的引線安裝程序形式。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L光波砷化鎵場相互作用晶胞管高端電壓高額定工率和聯通寬帶appAM010MH2-BI-R，該電子集成電路芯片的總電子集成電路芯片外場為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高額定工率紅外光app而方案方案的，操作速度自由高達6GHz。BI產品采用了那種唯一性方案方案的陶瓷制品二極管封裝，含有打彎或平行線的引線裝設的方法。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 Xk線低嘈音變大器電子元器件器件是嘈音指數公式很低的變大器。一樣作為常見wifi手機電收發機的高頻或中頻前制變大器，并且 高精確度度電子元器件觀測裝備的變大三極管。在變大暗淡衛星表現的領域，變大器自身的的嘈音對衛星表現的電磁波輻射可能會管得嚴重，故此想要縮小此種嘈音，以挺高輸出精度的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C光波PCS基站天線空航網上數據通信AM005MH2-BI-R。HIFET是位置搭配的專利局設施標準配置，代替高的電壓、高電機馬力和寬帶網APP軟件。該元器材的總元器材外部為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高電機馬力微波加熱APP軟件而來設計的，做工作幀率敢達6 GHz。它也是越大電機馬力元器材的非常理想驅動包器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S頻譜頻射砷化鎵場定律任務效率管AM300MX-CU-R，這一步分的總鑄鐵閘門凈寬為30mm。AM300 MX-CU-R是為高任務效率微波通信軟件應用而結構設計的，任務幾率敢達6GHz。Cu系列作品適用一類個性化結構設計的工業陶瓷二極管芯片封裝，兼備懸垂的引線和凸緣的重新安裝方式。二極管芯片封裝側面的法蘭部一起看做直流電跨接極、頻射跨接極和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S光波高效率徽波rfrf射頻結晶管AM200MX-CU-R，這一部電影分的總鑄鐵閘門凈寬為20mm。AM200 MX-CU-R是為高效率徽波選用而設計制作方案的，工作的次數敢達6GHz。Cu類別有的是種特出設計制作方案的工業陶瓷二極管封裝類型，有著直線條式引線和凸緣安裝使用式。二極管封裝類型底端的蝶閥法蘭同時成為直流變壓器一定等電位連接、rfrf射頻一定等電位連接和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C波長VSAT砷化鎵場反應瓦數管AM150MX-CU-R ，這大部分的總柵極厚度為15mm。AM150 MX-CU-R是為高瓦數微波加熱使用而設置的，工作任務頻率獨角獸高達6GHz。Cu系列表也是種特俗設置的瓷質二極管封裝，還具有切線式引線和凸緣的安裝式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L波長S波長大輸出砷化鎵輸出場相應硫化鋅管AM100MX-CU-R，這十一小塊的總柵極長寬為10mm。AM100MX-CU-R是為高輸出微波加熱利用而定制的，事情速率達到6GHz。Cu系列作品就是種特有定制的陶瓷圖片封裝，包括直線條式引線和凸緣配置式。封裝低部的活套法蘭而且算作電流一定地線、rf射頻一定地線和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P股票波段高工作效率紅外光用途領域砷化鎵MESFET元器件封裝AM072MX-CU-R，這部電影分有條個著力的的實驗7.2mm門的：寬度。在AM072MX-CU-R是自愿裝修規劃的在高工作效率紅外光用途領域，使用到6GHz。的實驗銅題材的張片，是在另一名自愿裝修規劃的衛浴陶瓷產品包裝與直導和Cu / W的蓋在另一名下拉的連接方式。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L頻譜S頻譜高效率微波通信APP結構設計微波射頻納米線管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C股票中波段S股票中波段微波通信射頻硫化鋅管AM036MX-QG-R，這一本分的總柵極厚度為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高工率微波通信應用軟件而設汁的，工作上頻率高達到6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L頻譜S頻譜頻射晶胞管縮放器AM024MX-QG-R ，這三地方的總柵極尺寸為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高額定功率紅外光操作而裝修設計的，崗位頻繁 更是高達6GHz。QG系列產品不是個泡沫塑料二極管裝封，所以引腳彎度的外層裝設休閑風的PC板。二極管裝封的側面一并是直流電源地線保護、頻射地線保護和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 S股票波長P股票波長單晶體管AM012MX-QG-R，這一步分的總柵極參數為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高熱效率微波通信運用而的設計的，事情聲音頻率可以達到6GHz。QG系例是個朔料封裝，大部分引腳彎曲成的漆層連接風格特點的PC板。封裝的底下直接看作電流一定與地面、頻射一定與地面和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 L中頻譜S中頻譜rf微波射頻晶狀體管AM006MX-QG-R，這一個部分分的總柵極高寬比為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高額定功率微波通信適用而制作的，運作頻次可高達6GHz。QG題材是一個個塑膠芯片封裝類型，擁有引腳屈曲的單單從表面重新安裝畫風的PC板。芯片封裝類型的底此外看作直流電壓與地面系統、rf微波射頻與地面系統和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku光波微波射頻結晶體管調大器AM005WN-00-R，其總柵極屏幕寬度匹配為0.5mm。那就是兩個裸模，能夠 操作到18千兆赫。它能夠 給予具代表性的過剩電率為33.4 dBm。它適用于低嗓聲、高動向范圍圖的接受到機和高電率導彈機的安裝變頻器。本分是適合RoHS規格的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 X中頻譜Ku中頻譜rf射頻氯化鈉晶體管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S股票股票波長C股票股票波長X股票股票波長Ku股票股票波長K股票股票波長分布點式低嘈音放縮器處理芯片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K股票股票波長）GaN低嘈音放縮器MMIC，。該帶寬器材很適合需要低嘈音指數能和高插入輸入輸出功率孤島生存專業能力的利用。CMD290出示12.5 dB的增益控制，對應的嘈音指數為2.3 dB，13 GHz時的輸入輸出1 dB進行壓縮點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低燥音拖動器CMD163軍用K頻譜低燥音拖動器單片機芯片，就是一款高信息范圍內GaAs MMIC低燥音拖動器，極為主要用于于軍用，空間區域和溝通裝置，這之中小盡寸和高曲線度是至關重要設計方案規定。該集成電路芯片對于21 GHz來了優化系統，可提高以上24 dB的增益值，響應的輸出精度1 dB縮小點為+19 dBm，燥音因子為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 C股票波段VSATrf射頻多晶體管AM025WN-00-R，其總柵極總寬為2.5mm（5個1.25mm的FET串并聯）。這一些裸模，能夠執行到15千兆赫。它能夠給予關鍵的過剩耗油率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 Xk線Kuk線微波射頻晶狀體管AM100WN-00-R，其總柵極寬為10mm（八1.25mm的FET串連）。那就是一種裸模，行正常運行到15千兆赫。它行給予典型示范的呈現飽和狀態電率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 Xk線Kuk線頻射晶胞管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 X頻譜微波微波微波射頻晶胞管C頻譜微波微波微波射頻晶胞管AM005WN-BI-R，其總柵極間距為0.5mm。它在工業陶瓷圖片打包封口中執行多達12 GHz。BI系列表食用層次性制作的工業陶瓷圖片打包封口，包括拉伸（Bi-G）或直（BI）引線的配置原則。打包封口底層的法蘭片一同有所作為直流電壓的接地線、微波微波微波射頻的接地線和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 X中波段頻射結晶管AM012WN-BI-R，一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極：寬度為1.25mm。它是在陶瓷制品廠家BI封口，運動高達到10千兆赫。BI類別安全使用特別的設計的陶瓷制品廠家封口，極具拉伸（Bi-G）或直（BI）引線的安裝使用方式。封口低部的法蘭盤同時用作直流電源地線保護、頻射地線保護和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 C中中波段rf微波rf射頻晶胞管S中中波段rf微波rf射頻晶胞管AM025WN-BI-R，也是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極高度為2.5mm。它在瓷質打包封裝形式形式中操作led光通量8 GHz。BI系類使用的特俗設計構思的瓷質打包封裝形式形式，有拉伸（Bi-G）或直（BI）引線的安裝使用形式。打包封裝形式形式下方的蝶閥法蘭同時是直流電源一定的接地、rf微波rf射頻一定的接地和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 P波長L波長高額定電功率徽波加熱操作AM100WN-CU-R，在這個區域的總柵極：寬度為10毫米左右。AM100WN-CU-R是專程的為高額定電功率徽波加熱操作裝修設計方案的，的工作次數能達6GHz。CU題材是專程的裝修設計方案的工業陶瓷打包封裝形式，兼備直引線和插裝式活套法蘭片。打包封裝形式底端的活套法蘭片同樣作為一個電流接地線系統、rf射頻接地線系統和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 S頻譜C頻譜AM050WN-CU-R衛浴陶瓷圖片裝封類型GaN效率HEMT DC-6GHz，這一個組成部分的總柵極高寬比是5mm。AM050WN-CU-R是為高效率微波通信使用而開發的，業務頻繁電動車續航6GHz。CU系是有能開發的衛浴陶瓷圖片裝封類型，極具直引線和趴地式卡箍部。裝封類型下面的卡箍部一并最為直流電地線、微波射頻地線和熱路。