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Ka波段放大器XP1031-QK四級37.0-40.0 GHz SMD GaAs MMIC功率放大器

2018-11-30 16:53:49 MACOM的Kak線增加器XP1031-QK??4個等級37.0-40.0 GHz SMD GaAs MMIC最大功率增加器存在25.0 dB的小無線信號增加收益和+35.5 dBm輸出精度三階抓取。該MMIC按照M / A-COM Tech的GaAs PHEMT電子無線元器件三維模型枝術，因為電子無線束光刻枝術，為了確保高多個性和均衡性。

Ka波段功率放大器芯片XP1018-BD四級37.0-42.0 GHz GaAs MMIC功率放大器

2018-11-30 16:12:20 MACOM的XP1018-BD四個維度37.0-42.0 GHz GaAs MMIC額定功率放縮器具備有26.0 dB的小移動信號收獲和P1dB輸出縮減點+25.0 dBm。該MMIC用MACOM的GaAs PHEMT元器件實體模型技巧，對于自動化束光刻技巧，確定高重疊性和均勻分布性。

K波段放大器芯片MAAP-118260線性功率放大器

2018-11-30 15:57:47 K中波段調大器單片機芯片MAAP-118260一款封裝形式類型的直線工率調大器，事業頻繁時間范圍為17.7 - 26.5 GHz。該電子元件作為28.5 dB收獲和37.0 dBm工作傷害三階剪取點（OIP3），工作傷害P1dB超過了28.5 dBm。該工率調大器采取無鉛，完整模制的5 mm，24引腳QFN封裝形式類型，由4級工率調大器和一體化的片上工率和包絡的檢測系統組成。

蜂窩回程線性Ku波段功率放大器MAAP-110150

2018-11-30 15:55:20 MAAP-110150不是款芯片打包封裝的線形Ku頻譜工做端電壓放小器，工做頻點位置為10.0 - 15.35 GHz。該馬力器件通常情況下具備30 dB收獲和40 dBm OIP3，所在端電壓達到31 dBm P1dB。該工做端電壓放小器選用無鉛，已經模制的5 mm QFN芯片打包封裝，由3級工做端電壓放小器和集成系統的片上頂值工做端電壓加測器和包絡檢波器結構。

K波段線性功率放大器MAAP-018260

2018-11-29 16:49:00 MAAP-018260就是款K中波段?二極管二極管封裝的平滑熱效率變成器，做工作頻點面積為17.7 - 26.5 GHz。該元件保證27 dB增益控制和40 dBm OIP3，導出電阻值達到30 dBm P1dB。該熱效率變成器應用無鉛，徹底模制的5 mm QFN二極管二極管封裝，由4級熱效率變成器和模塊化的片上熱效率和包絡檢波器組建。

X波段放大器雷達15W功率放大器MAAP-015036

2018-11-29 16:45:36 X波長縮放器汽車雷達15W額定電機熱效率縮放器MAAP-015036，一款多級GaAs MMIC額定電機熱效率縮放器，工作中頻繁 為8.5 - 10.5 GHz，過飽和單脈沖傷害額定電機熱效率為42 dBm，大信息收獲為18 dB。

雷達通信系統X波段功率放大器MAAP-015030 MACOM現貨

2018-11-29 16:03:02 雷達探測通訊軟件X中波段電機瓦數擴大器MAAP-015030，多級8.5 - 11.75 GHz GaAs MMIC電機瓦數擴大器有41dBm的過飽和電脈沖工作輸出電機瓦數，21dB的大數字信號增加收益和40％的電機瓦數扣除工作效率。

Ka波段雷達寬帶功率放大器MAAP-015016-DIE

2018-11-29 15:57:00 Ka光波雷達探測光纖光纖寬帶的輸出功效放縮器MAAP-015016-DIE，都是款運行規律為32至38 GHz的光纖光纖寬帶的輸出功效放縮器，過飽和的輸出的輸出功效為37 dBm，PAE為23％，4g信號增益控制小，為18 dB。

2.3 W Ka波段功率放大器MAAP-011298

2018-11-29 15:54:37 MAAP-011298就是一款2.3瓦，三級Ka光波電率變小器，運用無鉛5 mm 32引腳AQFN塑膠裝封。該電率變小器運轉在27至31.5 GHz，提供數據24.5 dB線性網絡增益控制，2.3 W達到飽和狀態效果電率和26％高效率，也偏置線電壓為6 V. MAAP-011298可以選擇作電率變小器級或能夠級挺高電率的用。

新型高線性度超寬帶0.5W GaAs分布式驅動器放大器工作在DC - 30 GHz

2018-11-29 14:43:16 CMD292是帶寬GaAs MMIC勻稱式安裝控制器變大器電源芯片，上班速率依據為DC至30 GHz。該變大器帶來13 dB的增加收益，合適的模擬效果1 dB再壓縮點為+27 dBm，模擬效果IP3為33 dBm（15 GHz）。CMD292主要包括50歐姆搭配構思，不要RF網絡端口搭配。

L波段放大器_L波段功率放大器_L波段功率放大器芯片/模塊

2018-11-29 10:55:08 Lk線變大器筒介：可根據IEEE 521-2002標淮，Lk線指的是聲音頻率在1-2 GHz的wlan電波k線(主波長300.00 - 150.00 mm)，Lk線電率變大器IC芯片/功能模塊在使用因素有光電戰（EW）、自己的手機通信基站設備、GPS使用、MMDS、wlan局域網ip中繼器、14V使用、多頻段VSAT、蜂窩基礎理論安全設施通信基站設備等功能。

采用并聯獨立偏置門的帶OIP3＞50dBm的S波段GaN LNA

2018-11-29 10:48:48 通過串聯孤立偏置門的帶OIP3＞50dBm的S中波長GaN LNA，aN電子元集成電路芯片體現了與GaAs電子元集成電路芯片十分的燥音常數，的同時要能受尤其高的填寫動力器。此文推薦了2～4GHz(S中波長)Pout～37dBm的GaN低燥音放小器(LNA)、1．8～3．5dB燥音常數(NF)和48～54dBm輸出的決定性三階截距點(OIP3)的設計制作。

GaN LNA中脈沖恢復時間的研究：第二部分

2018-11-28 15:09:20 GaN LNA中脈寬回復時期的學習，立于小編在之前相關脈寬回復測驗儀的網易博客，小編保證了具備5至9 GHz帶寬起步的市售GaN MMIC增加器的脈寬回復時期精確測量。增加器拼裝成材料機殼，2.4 mm相防水進行連接器廣泛用于相進行連接測驗儀機。

GaN LNA中脈沖恢復時間的研究：第一部分

2018-11-28 15:04:33 GaN LNA中脈沖信號還原事件，氮化鎵（GaN）高電子為了滿足電子時代發展的需求，移遷率結晶管（HEMT）正是因為高的電壓擊穿的電壓和解決高RF熱效率的技能其辭其在微波通信加熱和分米波熱效率調大器中的動用而顯而易見。比較近，GaN技術應用也被應用于在微波通信加熱區中加入低躁聲調大器（LNA），正是因為GaN的躁聲功能與某個半導體芯片建材相仿，最值得購買重視的是砷化鎵（GaAs）。

AM000100PM-BT_ 0.05GHz -100GHz 寬帶偏置TEE

2018-11-28 10:44:17 AMCOM的AM000 0100PM-BT是寬帶網絡偏置TEE。在0.05GHz～10.0GHz頻段內，該電路板復制耗損不大于1.0dB，VSWR相對比較1.4：1。AM000100PM-BT是在一家家庭型鋁護殼與微波射頻輸人和傳輸SMA聯接器。偏置三通管就就能夠補救約1瓦的RF耗油率和就就能夠有幾平2.5A的直流電瞬時電流。

10W的SPDT T / R開關DC – 11.0GHz——AM00011040TM-CM-R

2018-11-28 10:36:07 AMCOM的AM00011040TM-CM-R也是個移動寬帶SPDT的T/R交流電源旋鈕在CM封裝。在0.05～11.0GHz頻段內，其進到這一領域損耗費高于2.5dB，具有2:1VSWR。此類T/R旋鈕在導彈發射方式（TX ON）下是可正確處理達到15W的RF工作效率，在推送方式（RX ON）下是可正確處理達到1W的RF工作效率。

AM000100CP-20超寬帶20dB雙向定向耦合器DC-10GHz

2018-11-28 10:22:59 AMCOM的AM000100CP - 20有的是種雙軌雙軌交叉藕合。It has 2.5DB讀取loss and 21 DB交叉藕合到0.002 to 10ghz Band .與SMA鏈接器相關的英文的AM000100CP - 20在鋁合金門窗鋼中的包裝

AM000100DP-20超寬帶20dB雙向耦合器DC-10GHz

2018-11-28 10:17:31 AMCOM的AM0001000-20也是種正向正向交叉耦合電路器。它有3到5DB加上LOSS和21 DB交叉耦合電路到0.002到10Ghz Band。本開發的A000100DP - 20是在1個與SMA相連的鋁管內進行包裝的。

M0040PM-VVP無源模塊電壓控制相位移相器2-5GHz

2018-11-28 10:10:23 AMCOM的AM0040PM-VVP不是個對接的，根本切換的端電壓電流調整相位移相器板塊。它還具有從2到5 GHz的寬的頻次空間。該調整簡單地進行變換0至25伏特的交流電導入端電壓電流（Vctrl）來構建。

AM0040PM-VVA無源模塊電壓控制衰減器DC-4GHz

2018-11-28 10:04:01 MCOM的AM0040PM-VVA就是一個接連的，壓根相匹配的電阻把握衰減器方案。它具備著從DC到4 GHz的寬的頻繁位置。它還具備著高直線機械性能。該把握僅能夠改進1-5伏特的整流讀取電阻（Vctrl）來實現了。除此之外，該方案需要2.7V的表面進行固定電源模塊電阻(V.)。

MAAD-007082-000100集成TTL驅動器GaAs FET 6位數字衰減器

2018-11-27 16:14:15 MACOM的MAAD-007082-000100一款享有智能家居控制TTL伺服控制器器的GaAs FET 6十位數字衰減器。步長為1 dB，總衰減依據為50 dB。該電子元件選擇PQFN塑膠板材外面貼裝封裝。MAAD-007082-000100很適宜于的要求誤差，速率快，工作電壓太低和投資利潤高的形式。

TTL驅動器5位數字衰減器MAAD-007081-000100

2018-11-27 16:07:58 MACOM的MAAD-007081-000100一款具有著集合TTL驅動包器的GaAs FET 5個數字衰減器。步長為0.5 dB，總衰減范圍內為15.5 dB。該元器件通過PQFN塑膠片的表面貼裝打包封裝。MAAD-007081-000100異常可用以規定控制精度，加快些，能耗超低和直接費用低的場所，。

6位數字衰減器集成TTL驅動器MAAD-007080-000100

2018-11-27 16:02:07 MACOM的MAAD-007080-000100是款擁有集成式TTLwin7伺服控制器的GaAs FET 6五位數字衰減器。步長為1 dB，總衰減時間范圍為50 dB。該電子元件使用PQFN塑料制品面上貼裝封口。MAAD-007080-000100越來越采主要用于讓高精準度，較快快，能耗過低和生產低成本的場所，。

集成驅動器4位數字衰減器MAAD-007079-000100

2018-11-27 15:54:59 MACOM的MAAD-007079-000100是一種款兼具集成化能夠器的GaAs FET 4十位數字衰減器。步長為2 dB，衰減范圍內為30 dB。該元器主要包括FQFP-N塑表面層貼裝封裝類型。

集成TTL驅動器MAAD-007078-000100數字衰減器 macom現貨代理

2018-11-27 15:30:17 MACOM的MAAD-007078-000100一款兼備集合TTL驅動安裝器的GaAs FET 5五位數字衰減器。步長為1.0 dB，總衰減范圍圖為31 dB。該元件應用FQFP-N塑料管外面貼裝封裝。

集成驅動器GaAs FET 4位數字衰減器MAAD-007077-000100

2018-11-27 15:23:05 MACOM的MAAD-007077-000100是一個款具備有集成式安裝驅動的GaAs FET 4五位數字衰減器。步長為1 dB，帶來了15 dB衰減范圍圖。該集成電路芯片選取PQFN塑膠板材外觀貼裝封裝類型。MAAD-007077-000100常用做須要精密度，迅猛，低輸出功率和低代價的單供電操作。

6位步進式GaAs MMIC數字衰減器MAAD-000523

2018-11-27 15:15:51 MAAD-000523就是一款6位，0.5 dB步進驅動器式GaAs MMIC數據衰減器，用無鉛4 mm 24引腳PQFN的表面貼裝PVC裝封。該電子元件越來越可選用在需高導致精度，低能耗和低互調好產品的公共場合。典例選用包含蜂窩移動通信基站RX / TX反擊流陣容，Femtocell和別的收獲/電平把控好控制電路。

精密接收器電路GaAs FET數字衰減器AT20-0273——MACOM代理現貨

2018-11-27 15:13:16 MACOM的AT20-0273也是款GaAs FET數子衰減器，至少步長為16 dB，總衰減為32 dB。該衰減器和結合TTL驅動程序器主要采用封嚴工業陶瓷16引腳面上貼裝封裝形式。AT20-0273更加適用性于要計算精度，快打開，過低能耗和低互調物料的領域。

Anaren微型星形耦合器1M803現貨

2018-11-26 16:10:17 1M803家庭型星形藕合電路系統器就是1個低局部，家庭型3dB混合型喂養藕合電路系統器在1個非常容易用的接觸面安裝使用二極管封裝設計構思U-NII，ISM和超的局域網應用領域。1M803是為均等化放小器和走勢重新分配而設計構思的，是無線網化工對家庭型設計印刷電路系統板和高能力不停的增長期的實際需求的抱負克服細則。部件路經嚴要求的性能驗測和標段100%的驗測。

470～860兆赫90度混合耦合器1F1304-3S

2018-11-26 14:54:25 1F1304-3S就是個低剖面3dB混藕合器在1個非常易用的從表面貼裝芯片封裝復蓋470至860兆赫。該1F1304-3S是佳的和平擴大器和數據信號區域劃分，并要用于絕大占多數數高最大功率方案。零件圖過程從緊的產品質量抽樣檢查和單園100%的抽樣檢查。