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描述
AMCOM的AM025WN-Bi-R是一種個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極間距為2.5mm。它在瓷器圖片打包封裝中運營相當于8 GHz。BI類型采用異常結構設計的瓷器圖片打包封裝，極具彎折變形（Bi-G）或直（BI）引線的怎么安裝措施。打包封裝下方的活套法蘭同時做為直流電源跨接保護、微波射頻跨接保護和熱路。這部劇分是符合原則RoHS原則的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM025WN-BI-R	1周	50

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特征
高達8 GHz的高頻操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏極＝56% @ 3 GHz。
表面貼裝
有效果風扇散熱的邊側

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機