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用到具備經濟獨立柵極偏置有效控制的并行執行多晶體管的GaN HEMT放小器的平滑改善

推送日期：2018-05-04 13:53:07     預覽：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：利用兼有自立柵極偏置抑制的串聯納米線管的GaN HEMT增加器的直線改善。 GaN HEMT具有著較高的打出工作最大功率溶解度和較寬的下行帶寬有效率。所以，GaN HEMT的規則化舉例地比GaAs配件的規則化更差。本篇文章要求新一種簡略的辦法來從而提高GaN HEMT的規則化度。所要求的辦法是將配件拆成與單獨的調控的柵極偏置電流電壓電容串聯的很多子單位尺寸，以后將工作最大功率合共為子單位尺寸打出。原行拖動器..
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