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　　WST33H0NC 是由CREE公司生產的一款性能卓越的氮化鎵晶體管。這款晶體管是基于硅碳(SiC)技術的碳化物放大器系列的一部分，主要用于各種高頻應用，特別是微波加熱領域。

　　這兒是更多WST33H0NC氮化鎵晶胞管的些更詳盡的枝術特質和應運詳述：

　　技術特性

　　基面材料：利用0.25μm GaN on SiC生產工藝技術。　　運行頻繁：該晶胞管在2.40 GHz到2.50 GHz的頻繁規模內運行，最時候微波進行加熱進行加熱等運用。　　讀取電機工率：最快能達300W，讀取電機工率級為55dBm。　　增益控制值：作為17 dB的大警報增益控制值。　　吸收率：更是高達75%的排水道吸收率。　　芯片芯片封裝：選擇熱激發的銅基芯片芯片封裝。

　　應用領域

　　微波熱治理通信熱治理：可適合用于工業品微波熱治理通信熱治理，完美科技研究及治療機 熱治理治理。　　企業：也可以于分類高追求的企業軟件應用，其中包括但不只限大的規模加工制造步驟中的精密機械電加熱。　　生物學探析與醫療服務管理：適應用于于科研工作及醫療服務管理業務領域中須要精密管控的升溫具體步驟。

Part Number	Package
WST33H0NC-ASPPR	250 piece reel
WST33H0NC-SBPPR	Sample Board

武漢市立維創展高新科技是CREE的經售商，享用CREE微波通信元器件優勢采購營銷渠道，并常年交易量外盤，僅作中國人市揚要。