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他們報告格式新一個高耐熱性的GaN MMIC耗油率增加器作業在40MHz到400MHz間。這一變現80W電磁造成的（100US電磁造成的橫向和10%占空比）MMIC嵌套循環）轉換的耗油率（P5dB），40MHz，50W生產率為54%約有30%的生產率在大地方的里面光波，并且在400MHz時，生產率迅速拉低到30W，生產率為22%。40-400MHz頻段的耗油率增益控制為25dB。這一超高帶耐熱性是根據栽剪機來變現的。轉換的電位差，并用到特有的光纖寬帶網絡線路板符合拓補學。五種機的簡要設計方法并總結出符合線路板。股價指數條款英文-光纖寬帶網絡增加器，高電阻方法，微波通信元器件封裝，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
編（圖2）。直流變壓器偏置額定電壓和微波射頻打印所在所在電阻值這樣的HIFET均是1.4mm部門微型蓄電池的兩倍。器，尤其在底頻段。采用合理的挑選部門單元生產生產設備的大大小小和單元單元生產生產設備的規模編，各位會升級優化HIFET打印所在所在電阻值為非常接近50歐姆，以做到寬帶網機械性能。