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我們報告了一種高性能的GaN放大器。運行從100MHz到3000兆赫。最好的結果包括100W的輸出功率，22dB增益，40%的功率增加效率從100MHz到3000兆赫。這個性能是通過裁剪兩個設備來實現的。阻抗與獨特的寬帶電路匹配拓撲結構。二者詳細設計技術將給出器件和匹配電路。索引條款-寬帶放大器，高壓技術，微波器件，功率合成器，MMICs。
一、引言
寬帶、高功率、高效率放大器是一種先進通信系統中的關鍵元素搜索和救援軟件無線電為消防隊員，警察，和海軍陸戰隊。實現寬帶的傳統技術放大是使用行波方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路對器件進行變換輸入阻抗和輸出阻抗為50歐姆〔3〕。如果大功率設備輸出阻抗與50歐姆有很大不同。后一種方法的輸出匹配電路遭受了大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器的輸出功率和效率。本文報告了一種新方法，增加了一個新的尺寸為寬帶放大器設計。除了
只需使用電路匹配技術，我們還可以定制。器件輸出阻抗接近50歐姆。這種方式使輸出阻抗匹配電路相對簡單低損耗，導致寬帶高性能輸出功率和高功率附加效率。第2節概述了GaN HEMT 30W的設計MMIC PA用作100W的積木放大器。第3節描述100W的拓撲結構。放大器。第4部分是結論。
二。30W GaN MMIC放大器
達到100W以上的輸出功率超過100-3000兆赫，我們功率結合四，2階段GaN MMIC PA。每個MMIC具有30W的輸出功率，具有2dB的增益。期望波段。圖1顯示了30W MMIC的布局第一級器件尺寸為2mm，分為兩個1mm。路徑。第二級器件由四、2x1.12mm組成。
HEMT該2x1.12mm的機器相連1.12mm的二個DC和RF結合單元電芯配件。我們的稱為性HIFET〔4, 5, 6，7〕。交流電電偏置電流值與微波頻射該HIFET的工作打出電位差也是1.12mm單元電芯裝制。確認非常合適選購單元電芯配件尺碼和結合單元電芯配件的數目可改進HIFET最適宜選擇工作打出電位差提高提高50歐姆，確保移動帶寬性。圖2A和2B體現首的時候性和第2的時候性的插入和工作打出電位差，區別。請重視，第2的時候性優化。在0.25GHz的工作打出短路電流電位差提高50歐姆。該畢竟使人低微波頻射耗損率移動帶寬相匹配，那就是高工作打出輸入確保寬頻帶寬度的重要的性和的效率。這50歐姆最適宜選擇工作打出電位差為確認非常合適選購單元電芯配件尺碼和系列作品機器的數目。鑒于第2的時候性有2單元電芯結合，交流電電偏置電流值為60V的第2的時候性。