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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT有著高傷害工作最大功率比熱容和移動寬帶寬下的極有轉化率率。因為GaN HEMT的直線度通常情況下比GaAs電子元件的直線度差。這篇文章談到打了個種很簡單的技術來增強GaN HEMT的直線度。所談到的技術是將電子元件劃分與獨立自主有效控制的柵極偏置端電壓并接的二個子第一單元，接下來對對子第一單元傷害采取工作最大功率搭配組合。

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