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CREE的CMPA2735030是種只能根據氮化鎵 (GaN) HEMT 的片式微波加熱一體化電線 (MMIC)。與硅或砷化鎵相較于較,GaN具備著相對高品質的耐熱性;也包括比較高的熱擊穿場強;比較高的過飽和自動化漂移速率和比較高的導熱性公式。與Si和GaAs多晶體管比較較,GaN HEMT還給予了越高的額定功率硬度和更寬的上行帶寬。CMPA2735030例如兩極電抗匹配工率縮放器設汁指導思想,能夠完成以及寬的上行速率。
特性
載荷系數相電壓更是高達 50 V
高電壓擊穿場強
長寬為 5mm x 5mm;QFN 二極管封裝
高溫作業度在使用
運用各個領域
民用建筑型和軍工行業用激光脈沖雷達探測熱效率調小器
成品樣式
表述:30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 熱效率縮放器
保底頻率(MHz):2700
最底頻帶寬度(MHz):3500
最大值讀取最大功率(W):30
收獲值(dB:)30.0
事情利用率(%):45
電機額定功率額定容量(V):50
樣式:離散裸集成ic
封裝門類:Die
技術工藝:GaN-on-SiC
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