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CREE的CMPA1D1E025F是款氧化硅多晶硅上依照氮化鎵 (GaN) 高網上遷入率多晶體管 (HEMT) 的單支微波射頻一體化電源電路 (MMIC)；選擇 0.25 μm 柵極規格生產制作加工工藝。與硅相比之下較，GaN-on-SiC都具有更良好的耐熱性；砷化鎵或硅基氮化鎵；包函越高的擊穿電壓場強；越高的飽和狀態電子技術漂移學習效率和越高的導熱性標準值。CMPA1D1E025 采用 10 電線；25 mm x 9.9 mm；合金金屬/陶瓷廠家法蘭片盤裝封才可以確保最理想的的電力工程裝備和熱維持性。

結構特征

24 dB 小無線信號增益控制值

40 W 舉例電脈沖衛星信號 PSAT

固定電壓值高至 40 V

OQPSK 下 20 W 規則化電功率

A/B類高增益值；有速度率 50 Ω MMIC Ku 頻點段高輸出圖像功率放大器

用途層面

軍民融合用和商業應用 Ku 光波汽車雷達

軟件樣式

分析：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 股票波段 GaN MMIC 電機功率縮放器

低于聲音頻率(MHz)：13500

最底率(MHz)：14500

較高值輸入瓦數(W)：25

增加收益值(dB)：26.0

工作上生產率（％）：16

額定電壓降(V)：40

類型、：裝封的MMIC

封口行業類型：蝶閥法蘭盤

技木：GaN-on-SiC

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