發布新聞時間段:2023-12-29 17:14:35 網頁瀏覽:987
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子技術轉移率晶狀體管(HEMT)。有著前所未現的鍵盤輸入,還可以在DC-2.0GHz使用范圍左右能提供最好的的的瞬時寬帶網性能指標。與硅或砷化鎵想必較,CGHV40180含有更進一步優秀的能;是指更大的熱擊穿場強;更大的過飽和電子器件漂移效率與更大的熱傳導數值。與Si和GaAs納米線管相對于較,CGHV40180還帶來更大的公率體積和更寬的速率。CGHV40180備選2電纜線五金/陶瓷圖片蝶閥法蘭盤和藥丸式封口,才可以達成更好電力工程和熱不穩性。
表現
錄入不兼容
180W(CW)至少最大功率
250W典例電機功率
24dB先進典型小信號燈增加收益值
28V和50V食用
app域
雷達天線測探
醫院護理
帶寬擴大器
數據穩定VHF-UHF
國防科技日本軍事聯系機器設備
產品設備要求
文章的話:180瓦;DC-2GHz;氮化鎵高電子設備轉移率結晶體管
低的頻率(MHz):0
最快速率(MHz):2000
至高值讀取輸出(W):200
增加收益值(音貝):24.0
速率(%):70
電機額定功率電流(V):27
類行:芯片封裝分立多晶體管
封裝類型類:法蘭部盤、丸狀
方法應該用:GaN-on-SiC