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自偏置低噪聲放大器主要針對目前自偏置放大器的噪音和增益頻帶寬度無法滿足各種的問題。主要包括兩級功率放大電路，第一級功率放大電路由功率電感L2組成、NMOS管M1、PMOS管M2、負反饋電阻值R1與負載電源電路Z1相接；第一級功率放大電路的輸出端連接第二級功率放大電路，第二級功率放大電路由共源NMOS管M3和匹配電阻R2組成。該M1管、M2管和M3管用作提供電壓增益，負反饋電阻值R1和功率電感L2用作輸入特性阻抗，負載電源電路Z1拓展增益頻帶寬度，匹配電阻R2用作輸出特性阻抗。

CHA3666-99F是款兩級自偏置寬帶單芯片低噪聲放大器。

CHA3666-99F采用標準PHEMT工藝技術：25um柵極長度、穿過襯底的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻技術。

其主要的特征

寬帶性能：6-17GHZ

1.8db噪聲系數

26dbm三階截距點

1db壓縮時的17dbm功率

21db增益值

低直流電壓電功耗測試

直流電偏置電壓：Vd=4.0伏@ld=80MA

封裝尺寸1.47x1.47x0.1mm