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Qorvo的TGA2573-2是款帶寬，高公率GaN HEMT變大器，選擇Qorvo生產銷售的0.25-um GaN on SiC加工制作工藝 造成。工作任務概率范圍內為2至18 GHz，在30 V的漏極偏壓下，達到飽和狀態傷害電功率為40 dBm，PAE為20％，的信號收獲為10 dB。

 TGA2573-2徹底自動匹配50歐姆，并在好幾個RF接口上集成DC梗阻電容（電容器），愈來愈合適認可商業服務和中國國防有關于軟件。

TGA2573-2是100％DC和晶圓上的RF測評，以保證 具有耐磨性規定。無鉛且契合RoHS標準規定。

具體優點和缺點

• 平率依據：2至18 GHz
• PSAT：VD = 30 V時為40 dBm
• PAE：典型示范的20％
• 小手機信號增益控制：10 dB
• 回波衰減：15 dB
• 偏置：VD = 30 V，IDQ = 500 mA，明顯值VG = 2.3 V.
• 技術性：在SiC上在使用0.25-um GaN
• 尺寸：2.55 x 5.54 x 0.1 mm

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