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?最后代650 V裸片SiC MOSFET

發布公告周期:2025-01-03 16:57:39     網頁瀏覽:630

行行業內超世界級導通電阻工作功率和按鈕消耗的資金,可以保證較佳效果和工作功率比熱容技術參數。

Wolfspeed據第三方代650 V SiC MOSFET添加了其炭化硅(SiC)高技術上的為主認知度。在更切實的電量的使用操作系統中充分滿足體態更小、重更輕、會高效的電量的使用轉化率。650 V SiC MOSFET是安全性能有遠見工業化的電源開關、保障器/聯通寬帶系統電源模塊、新綠色能源電動車(EV)充電器系統、存儲生產設備、突發供電(UPS)和鋰電維護設備等特點的較佳會選擇。

特殊性

溫度低工作環境的低導通電阻功率

低寄生菌濾波電容

具備著超低逆向治愈的高效、性價比最高電感

持續性高溫度控制電腦(Tj=175°C)

MOSFET.png

競爭優勢

采用整改按鈕和傳導耗損增進環保設備學習效率

進行高啟閉幀率調節

加強裝置級功效強度性能參數

大大減少傳動裝置規模;凈重;和保壓追求

經典用

化工業電原

服務項目器/電信寬帶電腦網絡

新生物質能快充樁設施

儲熱儀器(ESS)

應急指揮電源模塊(UPS)

電板標準化管理平臺(BMS)

CREE科銳于2017年提取出微波加熱微波射頻茶葉品牌Wolfspeed,以移動寬帶、大工作功率放縮器企業產品為獨具特色。

珠海市立維創展社會是CREE的加盟商商,開發CREE徽波器材優質采購業務,信用管理保障原裝進口正品網站。

*那部分機型需申請注冊國外產品出口許可證書。詳細信息清楚多技術參數,感謝了解立維創展!


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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