發布了日期:2024-12-17 11:21:28 觀看:672
CREE擴充了其在增碳硅(SiC)技術工藝中的主導性道德水準,低電感分立芯片封裝享有寬沿面和漏極與源極相互的間隙差距(~8mm)。900 V分立炭化硅MOSFET輕松運行2016的MOSFET集成塊中頻效能,與此同時提高app于高的污染環保的超量電子商務隔離防曬。自己的開爾文源管腳提高了輸出功率電感;所以觸點開關耗用提高了30%。裝修軟裝設計師能夠指明方向從硅基駐車制動硅基來降低元器數量統計;使用不斷增加電源開關效能,能夠使用三電平拓撲關系結構變設成越高效的兩電平拓撲關系結構。
特征英文
在整體性工做水溫條件內,較低電壓降是900V Vbr
帶驅動安裝源的低特性阻抗封口
高抑制相電壓,低RDS(開始)
低反向的方式給回回到(Qrr)的提高效率本征電子元器件大家庭中的一員-二極管
不有益電容串聯,利用簡單
優缺點
可以通過縮短旋鈕和傳達消耗的資金增強系統速度
推動高按鈕開關頻帶寬度控住
上升系統級工作電壓體積密度
削減系統軟件總量;凈重量;和冷去需要量
開啟新的硬按鈕開關拓撲關系(Totem Pole PFC)
典型的app
直流無刷電機操縱裝置
新燃料續航樁體系
作為應急的電源模塊(UPS)
電板檢驗機系統
新燃料電動伸縮車神速電動車充電設備
車載式充點器
轉動平衡裝置
焊結的工藝
佛山市立維創展信息技術現有我司授權證書經銷商CREE微波通信電子器件,若是需要購CREE成品,請選擇右測博主建立聯系自己!!!
Product SKU | Blocking Voltage | RDS(ON) at 25°C | Current Rating | Tjmax | Package |
C3M0065090D | 900 V | 65 mΩ | 36 A | 150 °C | TO-247-3 |
C3M0120090D | 900 V | 120 mΩ | 23 A | 150 °C | TO-247-3 |
C3M0280090D | 900 V | 280 mΩ | 11.5 A | 150 °C | TO-247-3 |
C3M0030090K | 900 V | 30 mΩ | 63 A | 150 °C | TO-247-4 |
C3M0065090J | 900 V | 65 mΩ | 35 A | 150 °C | TO-263-7 |
C3M0120090J | 900 V | 120 mΩ | 22 A | 150 °C | TO-263-7 |
C3M0280090J | 900 V | 280 mΩ | 11.5 A | 150 °C | TO-263-7 |