發布新聞事件:2024-12-02 17:14:36 查詢:679
CMPA0060002D都是種帶著氮化鎵(GaN)高微電子轉移率單晶體管(HEMT)的單面微波加熱ibms電源電路(MMIC)。與硅或砷化鎵相比之下較,GaN極具非常優等的特點,主要包括高些的電壓擊穿場強、高些的供大于求網上漂移加效率與高些的導電指數。與Si和GaAs晶狀體管好于較,GaN HEMT還具備更高的的輸出密度計算和更寬的速率。CMPA0060002D實用布局式(導波)變大器結構設計總體目標,要在更小的侵占的面積內構建極寬的資源帶寬。
特點
?17 dB小警報增益控制值
?2 W典型示范PSAT
?額定功率電阻值可以達到28V
?高損壞場強
?氣溫度便用
?尺寸規格0.169 x 0.066 x 0.0044英寸
選用
?寬度帶擴大器
?網絡光纖線變頻器器
?試驗主設備
?EMC放縮器驅動程序器
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