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GTRB246608FC-V1高微電子轉移率多晶體管

更新的時間:2024-11-20 16:51:18     查看:587

GTRB246608FC-V1是CREE的一種500瓦(P4dB)的SiC上GaN高網上轉遷率單晶體管(HEMT),傾力于多基準蜂窩狀效率縮放器應運消費需求構思。GTRB246608FC-V1遵循便捷率和無軸環的熱開展封裝形式。

GTRB246608FC-V1.png

品牌外形尺寸

詳述:高熱效率RF GaN SiC HEMT 500 W,48 V,2300-2400 MHz

極限頻率(MHz):2400

增加收益(dB):15.7

封口類:Earless

特征描述

主要電脈沖CW安全性能,2400 MHz,48 V,10μs電磁頻次,10%占空比,三人組合輸出電壓

P4dB=600 W時的輸入輸出工率

P4dB=60%時的學習效率

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安利知識
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