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CGHV60170D是氮化鎵（GaN）高網絡移動率納米線管（HEMT）。與硅或砷化鎵相比較較，GaN具備條件優質的穩定性；涵蓋較高的穿透場強；飽和狀態光電擺動時速較高；和其較高的導熱性。與Si和GaAs多晶體管相比之下較，CGHV60170D作為較高的熱效率高密度和更寬的頻率段長寬。

商品產品規格

詮釋：170瓦；6.0 GHz；50VGaN HEMT心片

比較低平率（MHz）：0

最大頻繁（MHz）：6000

增益值值（dB）：17

封裝類型類目：Die

特征描述

65%典例工率增添的效率

170 W主要表現PSAT

50V控制車

高損壞場強

率時間范圍高至6 GHz

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