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WS1A2639-V1-R3K是CREE的兩款非對應多赫蒂工率擴大器版塊（PAM），將GaN on SiC設備選用和近各種現代化的切換和偏置工作電壓數據網絡整合在具備著高檔水冷設備的多層高層層壓材料上。WS1A2639-V1-R3K幀率范圍內在2496 MHz至2690 MHz。且食用上限50V的電源適配器電壓降；平均值工作輸出額定功率規定為6至8 W，極限值要素驟降，數字5預失確定LTE和5G NR數據庫4g信號，瞬時上行寬帶高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K封禁裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）封裝類型中。

軟件規格型號

講述：38.5dBmGaN on SiC效率擴大器引擎；2496-2690MHz

很低率（MHz）：2496

更高規律（MHz）：2690

P3dB輸入輸出工率（W）：50

增益控制值（dB）：16.5

吸收率（%）：57

載荷系數電壓電流（V）：48

封裝形式等級分類：的表面貼裝

二極管封裝：二極管封裝分立多晶體管

枝術應用領域：SiC上的GaN

特征英文

GaN基SiC水平應用領域

從元件下方作為主料導和上限值子縮放器掌握柵極偏置電阻電源適配器

模塊化化諧波消費終端

無鉛并達到RoHS準則

個性化推薦的推動安裝使用是WSGPA01

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