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GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高電商轉遷率晶狀體管（HEMT），用在多條件蜂窩狀最大功率擴大器工藝用。GTRB226002FC-V1滿足有效化和無軸環的熱資料封裝類型形態。

物料規模

敘述：SiC HEMT上的高工作電壓RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

低點頻點（MHz）：2110

最好聲音頻率（MHz）：2200

P3dB工作輸出工作功率（W）：450

增益值值（dB）：15

有效率（%）：60

特證

一般的輸入脈沖CW耐磨性：10μs脈沖造成的屏幕寬度匹配，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty卡具能力=65%

增益控制值=14dB

P3dB=450W時的的輸出熱效率

平面模特類別1B級（依據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低傳熱系數

無鉛并需要滿足RoHS要求

GaN基SiC HEMT技能

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