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GTRB204402FC/1是CREE的有款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子器件移動率尖晶石管（HEMT），著力推進于多規定蜂窩狀輸出圖像放大電路技術設備用各種需求設計構思。GTRB204402FC必備條件高效性率和無軸環的熱怎強芯片封裝。

食品規格參數

論述：SiC HEMT上的高工作電壓RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

最低標準次數（MHz）：1930

最大速度（MHz）：2020

P3dB輸出的耗油率（W）：350

增益控制值（dB）：16.3

高速率率（%）：58

電機額定功率工作電壓（V）：48

封裝類型等級分類：Earless

封裝：封裝分立晶狀體管

技術應用：SiC上的GaN

特點

明顯的激光脈沖CW機械性能，2020 MHz，48 V，10μs單脈沖總寬，10%pwm占空比，搭配組合所在

P3dB=350W時的所在耗油率

P3dB時的有提高效益率=65%

名模建模方法1C級（選擇ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并夠滿足RoHS標準化

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