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PXAE263708NB-V1是CREE的一類400瓦（P3dB）LDMOS FET，軟件于2620至2690 MHz頻段的多標準單位蜂窩狀最大功率變成器技術使用使用。收錄放入讀取更換；高增益控制包括具有著無突緣的熱不斷增強二極管封裝手段。PXAE263708NB-V1適用奇特的LDMOS制作工藝技巧；PXAE263708NB-V1具備有正常的熱平穩性和不錯的應急耐磨性。

食品規格參數

詮釋：高最大功率RFLDMOS FET400W（P3dB）；28v；2620-2690MHz

很低頻段（MHz）：2620

最低率（MHz）：2690

P3dB輸入最大功率（W）：400

收獲（dB）：13.5

效應（%）：47

額定負載電壓降（V）：28

芯片封裝類目：pp塑料

芯片封裝形態：芯片封裝形態形態分立納米線管

高技術：LDMOS

特點

網絡帶寬內部管理進入輸出精度更換

非對稱軸性Doherty構思：主P1dB=140W典型的值；較高值P1dB=260 W常見值

其最典型的的脈沖激光CW特質；2655MHz；28v；多爾蒂構型；AB類：P1dB=200W時的輸入熱效率；P3dB=400W時的輸出精度工作功率；利用率=49%（POUT=57 W平均值）；增加收益=15 dB（POUT=57 W標準差）

就能夠處理32 V時10:1的VSWR；100 W（CW）模擬輸出耗油率

結合化ESD庇護

無鉛并足夠RoHS標準

成都市立維創展科技開發受限子公司商標授權生產商CREE微波加熱集成電路芯片，假如需購CREE產品，請鼠標點擊左下qq客服連系各位！！！