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CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D模試調小器，符合于多規范蜂窩狀公率調小器技木軟件。GTVA261802FC-V1具備著放入兼容、高工作效率率和無軸環熱明顯增強封口的特征。

類產品規格型號

說明：SiC HEMT上的高瓦數RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

最低值速率（MHz）：2620

較大 的頻點（MHz）：2690

P3dB輸出的效率（W）：170

收獲值（dB）：16.8

更高效應（%）：43

功率電流電壓（V）：48

封口類目：Earless

裝封：裝封分立氯化鈉晶體管

技巧：SiC上的GaN

功能

?GaN-on-SiC HEMT技術性

?顯示兼容

?舉例的激光脈沖CW安全性能，搭檔模擬輸出，

2690 MHz，48 V，10μs脈寬長寬比，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的的輸出工作電壓

-P3dB時的漏極低效果=65.5%

-P3dB=15dB時的增益值值

?是可以搞定48 V、180 W（CW）導出最大功率下10:1的VSWR

?名模模形1A級（基于ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低導電公式

?無鉛并充分考慮RoHS細則

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