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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT也是種聯通寬帶氯化鈉晶體管心片，對DC-3.5 GHz運轉通過了改進。該自動化元器件能夠CW，智能和曲線運轉，打印輸出功效為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150極為適合于國防軍事通信建筑設施，地面聯通wifi手機電，航材自動化建筑設施，wifi手機基本建筑設施，ISM使用和VHF / UHF / L / S股票波段雷達探測。采用了SIGANTIC®施工工藝生產 - 屬于專有的GaN-on-Silicon技木。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是各國唯一一個這家適用在微波射頻適用的GaN on Si方法批售商。小編的在Si RF電馬力多多結晶管服務上供給普遍的多次波（CW）GaN，身為分立元器件和模快，計劃上班在DC至6 GHz。小編的的高電馬力CW和曲線多多結晶管是民用型航班微電子環保設備，安全可靠，網絡上，長激光脈沖統計同時化工，科學有效和診療適用的抱負選。小編的的服務女子組合充分利用了MACOM不低于60年的傳統式，既然用GaN on Si方法供給標準單位和個性定制解決處理計劃，以能夠滿足加盟商最嚴格的所需。小編的的GaN on Silicon服務，主要包括分立多多結晶管和融合拖動器，主要包括0.5μmHEMT工藝設計，在電馬力，增加收益，增加收益非常平整度，質量幾個方面表達出優良的RF能力，