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　　QPD0030是Qorvo公司生產的一款高性能GaN射頻功率晶體管，它采用了SiC HEMT(碳化硅高電子遷移率晶體管)技術。這款晶體管在48V電源軌上工作，頻率范圍從直流(DC)至5GHz，輸出功率在P3dB點達到45W，非常適合用于基站、雷達和通信系統等應用。

　　QPD0030的重點優勢收錄：　　- 率標準：DC至5GHz　　- 內容工作輸出額定瓦數(P3dB)：在2.2GHz幀率下，內容工作輸出額定瓦數高達49W。　　- 直線增加收益：在2.2GHz頻點下，經典增加收益為22.3dB。　　- 經典PAE3dB：在2.2GHz平率下，率高達模型71.5%。　　- 事業電流電壓：48V。　　- 低散熱量封裝類型：在高最大功率崗位時可以有效散熱，恢復配件的維持性和期限。　　- 認可連續式波(CW)和電磁工作中經濟模式　　QPD0030行應用于Doherty體系結構中，特備適宜用做小款蜂窩、微蜂窩和有源無線天線模式性的移動移動信號塔功效調大器的還有級，也行用做微蜂窩移動移動信號塔功效調大器的驅動安裝器。該配件利用了服務技術標準單位的4x3mm表面能貼裝QFN裝封，更加方便模塊化到現今的微波射頻模式性設定中。

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