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UMS微波射頻CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可為各種射頻功率應用提供多功能寬帶解決方案。該產品在SiC襯底上采用GaNHEMT技術制造，確保了優異的性能和可靠性。

納米線管以裸晶片方法供應，必須要外部鏈接適配電路設計構思就能足夠揮發其潛能。當然，真是這些設計構思特性傳遞了CHK5010-99F豐富多樣的的功能和廣泛性的軟件潛能。首要結構特征主要包括其精湛的寬帶網絡效果，幫助高達hg12 GHz的脈沖發生器和不間斷波實操。基本概念GaN系統，該設置可控制高輸入輸出和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時控制最適宜機械性能。前者，該處理芯片擁有0.90x0.80x0.1mm的密集盡寸，也許在出現異常的位置中也能否放松集成化。也可以其優勝的耐磨性，CHK5010-99F還符合標準RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006標準，確保安全衛生環保標準和安全衛生。這讓用戶組在進行和施用護膚品時安怡，而不用懷疑對條件的不利于直接影響。肯定，CHK5010-99F就是款劃得來相信的高使用能GaN晶狀體管，都具有普遍的技術選用和出眾的的功能鍵。其引人需求令人難忘的使用能和貼合的生產標準的使其形成rf射頻效率技術選用的不靠譜選購，為該領域開拓了了新的或許性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

廣州市立維創展科枝有限的公司授權經銷UMS微波，針對部分型號的UMS產品提供優質的現貨產品庫存，歡迎咨詢。