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CREE的CMPA1D1E030D是款無定形碳硅單晶硅上結合氮化鎵 (GaN) 高電子移遷率單晶體管 (HEMT) 的單支微波加熱模塊化電線 (MMIC)；CMPA1D1E030D使用的0.25μm柵極尺寸圖工藝流程的技術。與硅相對比較，GaN-on-SiC都具有更佳非常好的的功能；砷化鎵或硅基氮化鎵；含蓋更加高的擊穿電壓場強；更加高的飽和點電子設備漂移轉化率和更加高的導電公式。

特性

27 dB 小數據信號收獲值

30 W 基本特征 PSAT

工作中電阻值高至 40 V

高熱擊穿場強

高的溫度度控住

應用方面

衛星信號移動通訊上升鏈

品牌產品規格

陳述：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 電率增加器

很低頻次(MHz)：13750

較高的頻率(MHz)：14500

非常高值的輸出電機功率(W)：30

增益控制值(dB)：26.0

吸收率（％）：25

操作的電壓(V)：40

方法：MMIC 裸片

封口專業類別：Die

技術水平：GaN-on-SiC

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