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CMPA1C1D060D是款無定形碳硅單晶體上按照其氮化鎵 (GaN) 高微電子變更率多晶體管 (HEMT) 的單支徽波集成系統電源電路 (MMIC)；CMPA1C1D060D運用0.25 μm柵極規格制成工藝設備。與硅不同之處較，GaN-on-SiC含有越來越非常好的的特性；砷化鎵或硅基氮化鎵；含蓋更為重要的的損壞場強；更為重要的的達到飽和狀態手機漂移有效率和更為重要的的熱傳導比率。

特征描述

遵循 26 dB 小信息增加收益值

60 W 舉例 PSAT

電機額定功率電壓降高至 40 V

高損壞場強

高溫度遠程操作

應運區域

PTP 無線wifi光纖通信

遙感衛星網絡通信上升鏈

企業產品尺寸

講述：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 電功率圖像放大電路

最便宜頻繁(MHz)：12700

更高速度(MHz)：13250

比較高值工作輸出工率(W)：65

增加收益值(dB)：26.0

成功率（％）：30

穩定電壓電流(V)：40

模式，：MMIC 裸片

芯片封裝類屬：Die

高技術用：GaN-on-SiC