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CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵相比較，GaN具有更加優異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式，能夠實現最好電力設備和熱穩定性。

特殊性

7.9–8.4GHz工作的

80WPOUT（基本特征值）

>13dB輸出功率增益值值

33%典型案例平滑PAE

50Ω的內部答配

<0.1dB電率拉低

適用方面

衛星信號通訊網

地上網絡帶寬

物料規格型號

形容：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；鍵入/的輸出搭配組合GaNHEMT

最低標準平率(MHz)：7900

極限的頻率(MHz)：8400

最好值輸入輸出工作電壓(W)：50

增益值值(dB)：13.0

熱效率（％）：33

載荷系數的電壓(V)：40

組織樣式：封口組織樣式分立晶胞管

裝封風格專業類別：法蘭盤盤

技藝利用：GaN-on-SiC