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CGHV50200F是種專程設計構思用在高效化氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）；高增益和寬帶寬性能；從而使得CGHV50200F成為了對流層光學散射通訊的最佳選擇；4.4-5.0GHzC頻率段衛星通訊應用與超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭封裝形式。

特色

4.4–5.0GHz事業

180W常見的PSAT

11.5dB通常輸出功率增益控制值

48%普通電壓轉化率

50Ω內部替換

采用范疇

遙感衛星電訊

撼動光線——BLOS

平衡層光學薄膜散射通迅

設備技術參數

敘說：200瓦；4400-5000MHz；50Ω投入/傳輸自適應；氮化鎵高自動化遷址率尖晶石管

最少次數(MHz)：4400

高達頻次(MHz)：5000

最高的值打印輸出公率(W)：200

增益控制值(dB)：11.5

工作的吸收率（％）：33

額定電壓值(V)：40

狀態：打包封裝狀態分立晶狀體管

封裝形式的類型:活套法蘭盤

技藝廣泛應用：GaN-on-SiC