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CREE的CGHV96130F是氫氟酸處理硅(SiC)材料上的氮化鎵(GaN)高轉遷率單晶體管(HEMT)與另一技藝不同于，CGHV96130F內外部適合(IM)FET更具漂亮的高效率扣除高效率。與砷化鎵比起來，GaN享有有效的穩定性；具有更為重要的損壞場強；更為重要的供大于求電子漂移網絡速度和更為重要的熱導率。與GaAs晶胞管不同之處，GaN HEMT還都具有極高的馬力溶解度和更寬的帶寬的配置。CGHV96130F運行復合/陶瓷制品法蘭片芯片封裝可能確保較好的電和熱動態平衡性。

表現形式

166WPOUT（明顯值）

7.5dB熱效率增加收益值

42%常見PAE

50Ω內外適應

<0.3dB工率的降低

新產品要求

描述英文：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；主要是用來X頻譜聲納應用領域的輸人/輸出適應GaNHEMT

是較為小的頻次(MHz)：8400

明顯次數(MHz)：9600

上限值傳輸公率(W)：130

學習效率（％）：42

額定直流電壓(V)：40