公布時段:2023-12-05 16:51:51 瀏覽網頁:947
Electro-Photonics的Q3XG-1850R合體設施設備備SMT機械性能參數,針對提案的各線路板功能分區實施周全優化系統優化。選取中的型芯片封裝,具低添加圖片耗損和高電率機械性能參數。Q3XG-1850R交織解耦器關鍵應用層面于窄帶和寬帶網輸出增加器應用層面層面。
Q3XG-1850R耦合電路器是以永久磁鐵的,比較合適用在MRI適用上適用。Dragon?合體器在其他國家設計的加工制造,考慮RoHS和REACH標淮。
Q3XG-1850R要求表面加工是浸錫。能依據須得給予化學上鍍鎳浸金(ENIG)。
特征英文
1500–2200MHz
低耗損
高隔開度
嚴峻的波幅發展性
90度正交
接觸面貼裝能力
CTE兼容性測試
DCS、PCS、LTE概率段
卷帶挑選
評估方法板722-0006-03-E01
年紀
品種:0.560x0.3504英寸
速度:1500-2200MHz
額定容量熱效率:165瓦
復制到耗損率:0.10dB
漲幅平衡點性:±.2
隔絕度:28dB
駐波比:1.15
相位穩定平衡性:±2