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CHA3512-99F所采用PHEMT工藝設備技巧，柵極間距為0.25um，通孔射穿柔性板，的空氣橋和電子元器件束柵神行者刻。

CHA3512-99F具有集成電路芯片風格。

主要功能

能力技術參數：6-18GHZ

23dbm過剩傷害工作功率

16db收獲值

適用人群于20db動態化條件的1位衰減器

交流電電實用功能消耗：210MA@4.5V

二極管封裝尺寸大小：4.27x2.46x0.1mm

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