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?CGHV35150 S中波段電機功率縮放器CREE

發部期限:2023-10-16 16:55:53     查看:873

Wolfspeed的CGHV35150是款有點設定的高效性率氮化鎵(GaN)高電子器材移動率硫化鋅管(HEMT);高增加收益和光纖線移動寬帶耐磨性;這也隨著CGHV35150非常適2.9–3.5GHzS波長聲納調小器運用。CGHV35150選則陶瓷廠家/合金法蘭部和藥丸式芯片封裝。

特性

載荷系數儲存量=150W@TCASE=85°C

頻點使用范圍=2.9–3.5GHz

瞬態100ms–300ms@20%占空比

13.5dB瓦數增加收益值@TCASE=85°C

TCASE=85°C時常見漏級吸收率為50%

投入替換

<0.3dB脈沖激光上升時間影響

廣泛應用研究方向

S股票波段統計放縮器

CREE(科銳)籌建于1987年,CREE科銳應具30幾十年的移動寬帶GAP原文件料和信息化品牌,CREE科銳就是個完善的的設計合作協議粉絲,契合微波射頻的使用需求,CREE科銳為行在業內技藝先進的系統系統出示更強的耗油率和更低的基本功能耗用。CREE科銳由最開啟的GaN材料LED設備技術水平最前沿全這個世界,到紅外光微波射頻與毫米(mm)波心片設備,CREE科銳于2017年離心分離出微波加熱微波射頻品牌形象Wolfspeed,以光纖寬帶、大效率增加器物料為特點。

河南市立維創展科技發展是CREE的代理商商,有了CREE微波通信元器件封裝的優勢供應營銷渠道,并短期庫存量現貨平臺,以供中國有市廠市場需求。

信息熟悉CREE徽波射頻徽波請點擊率://www.yhme.cn/brand/35.html

CREE (15).png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV35150P

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CGHV35150F-AMP

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%


Evaluation Board

Flange

CGHV35150F

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Flange


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