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?GTVA101K4 L光波工作電壓放小器CREE

披露時期:2023-09-13 16:58:47     打開網頁:1246

CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能。從而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用。GTVA101K4晶體管適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用。

優點

導入匹配

常用的輸入脈沖累計波能;960–1215MHz;50V;單雙層;128μs電磁大小;10%pwm占空比;P3dB=1400W時的轉換電功率;工作中能力=68%;增益控制值=17dB

無鉛并能夠滿足RoHS準則

技術應用鄰域

汽車雷達放縮器

CREE(科銳)注冊成立于1987年,CREE科銳符合30十幾年的移動寬帶GAP原料料和革新食品,CREE科銳是個完整性的設定的合作伴侶,適合頻射的需求量,CREE科銳為行行業內能力世界領先的廣州POS機機械展示 更強的效率和更低的功能模塊損失。CREE科銳由最準備的GaN基本的材質材料LED品牌工藝前沿全的世界,到微波加熱rf射頻與豪米波基帶芯片品牌,CREE科銳于2017年破乳出徽波頻射名牌Wolfspeed,以移動寬帶、大效率縮放器貨品為優勢。

廣州 市立維創展自動化是CREE的代理商商,擁有的CREE微波加熱電子器件優質供貨商產品線,并長時存儲外盤,以供中國人市面 實際需求。

詳情頁了解一下CREE頻射微波通信請單擊://www.yhme.cn/brand/35.html

CREE (21).png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

GTVA101K42EV-V1

GaN on SiC

0.96 GHz

1.4 GHz

1400 W

17 dB

68%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down

LTN/GTVA101K42EV-V1

GaN on SiC

0.96 GHz

1.4 GHz

1400 W

17 dB

68%

50 V

Packaged Discrete Transistor

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