披露時期:2023-09-13 16:58:47 打開網頁:1246
CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能。從而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用。GTVA101K4晶體管適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用。
優點
導入匹配
常用的輸入脈沖累計波能;960–1215MHz;50V;單雙層;128μs電磁大小;10%pwm占空比;P3dB=1400W時的轉換電功率;工作中能力=68%;增益控制值=17dB
無鉛并能夠滿足RoHS準則
技術應用鄰域
汽車雷達放縮器
CREE(科銳)注冊成立于1987年,CREE科銳符合30十幾年的移動寬帶GAP原料料和革新食品,CREE科銳是個完整性的設定的合作伴侶,適合頻射的需求量,CREE科銳為行行業內能力世界領先的廣州POS機機械展示 更強的效率和更低的功能模塊損失。CREE科銳由最準備的GaN基本的材質材料LED品牌工藝前沿全的世界,到微波加熱rf射頻與豪米波基帶芯片品牌,CREE科銳于2017年破乳出徽波頻射名牌Wolfspeed,以移動寬帶、大效率縮放器貨品為優勢。
廣州 市立維創展自動化是CREE的代理商商,擁有的CREE微波加熱電子器件優質供貨商產品線,并長時存儲外盤,以供中國人市面 實際需求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
LTN/GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |