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?GTVA12600雷達探測放縮器CREE

發部時間間隔:2023-06-08 16:49:38     挑選:1189

CREE雷達放大器GTVA126001EC和GTVA126001FC是600瓦GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于1200至1400MHz頻率段。GTVA12600具備輸入適配性能;高效化;和熱強化包。

表現形式

進入適應

常考的單單脈沖CW性(AB類);1200MHz;50伏;300μs脈沖激光幀率;10%pwm占空比;模擬輸出電率(P3dB)=600W;吸引吸收率=65%;增益值值=18dB

可以在單脈沖激光自然環境下,以600W輸送電功率有著10:1負載電阻失諧(其他相位差):300μs脈沖激光幾率;10%pwm占空比;VDD=50V;IDQ=100mA

男模特模式化1C類(利用AnSI/ESDA/JEDECJS-001)

無鉛并不符合RoHS準則要求

應運

統計變成器

CREE(科銳)創辦于1987年,CREE科銳應具30常年的寬帶網GAP原料料和創新發展廠品,CREE科銳是一種個全部的設置公司合作夥伴,滿足微波射頻的訴求,CREE科銳為行業界技巧一流的機的設備的設備提供數據更強的額定功率和更低的功能模塊耗用。CREE科銳由最開使的GaN基本材料LED食品系統優勢全環境,到微波加熱微波射頻與毫米左右波IC芯片食品,CREE科銳于2017年分離法出微波加熱頻射品脾Wolfspeed,以寬帶網絡、大馬力圖像功率放大器廠品為獨特。

山東市立維創展新材料技術是CREE的銷售商,獲得CREE紅外光電子元件優越性購貨方法,并持續銷量現貨交易,以作華人貿易市場需要。

詳情頁了解一下CREErf射頻徽波請點擊事件://www.yhme.cn/brand/35.html

GTVA12600.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

GTVA126001FC-V1

GaN on SiC

1.2 GHz

1.4 GHz

600 W

20 dB

63%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Earless

GTVA126001EC-V1

GaN on SiC

1.2 GHz

1.4 GHz

600 W

20 dB

63%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down


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