欧美在线一区二区-亚洲欧美综合-欧美国产一区二区-国产欧美一区二区

?SemiGen肖特基電子元器件大家庭中的一員-二極管

披露時光：2023-05-29 17:00:04 看：1056

SemiGen的硅肖特基場效應管秉承于40GHz以下的新技術設備的選用業務需求來設計。特殊的解決的新技術設備才能多種五金板材策劃方案為低、結合高阻擋的新技術設備選用出示耐熱性的優勢。結杲英文結杲是含有嚴謹把控電感的低電阻值肖特基二極管，才能保證最低效應。SemiGen肖特基肖特基二極管低交流學習耗用和良好的TSS而使穩壓管變成了事情頻段從S中波段到Kak線的遙測器/混頻器技術水平選用以至于解調器、低馬力的限制器和快速路度旋鈕的合適選澤。

表現形式：

多結進行處理電子器件

低1/F嗡嗡聲

工作小結電容（電容器）

軟件：

適使用于于混頻器、檢測器、倍頻器達成和解調器。

SemiGen是英國是一家晶圓級微波射頻功率器材國力派加工廠家，從晶圓到封裝類型功率器材, 類別充裕，從核工業級MIL-PRF 38534到軍工MIL-PRF 19500、750和883，SemiGen專注于于帶來領航的的質量和靠得住性。

東莞市立維創展科學技術局限機構，批發商權批發商于我國的領域賣SemiGen商品，并帶來了售后維修服務培訓客服和售后維修服務培訓方法適用服務培訓。

內容知道SemiGen請點開：//www.yhme.cn/brand/64.html

Low Barrier Schottky Diodes

Part Number	Breakdown Voltage @ 10 μA MIN (V)	Forward Voltage @ 1 mA MAX (V)	Junction Capacitance @ 0 Vdc 1 Mhz TYP (pF)	Series Resistance @ 5 mM TYP (Ohms)	Tangential Signal Sensitivity TYP (dB)
SLB100	3.0	0.250	0.14	20.0	-55
SLB101	3.0	0.280	0.20	20.0	-52
SLB102	3.0	0.300	0.12	20.0	-50
SLB103	3.0	0.320	0.14	20.0	-48
SLB104	3.0	0.250	0.15	20.0	-55
SLB105	3.0	0.280	0.15	20.0	-52
SLB106	3.0	0.300	0.12	20.0	-50
SLB107	3.0	0.320	0.14	20.0	-48
SLB108	3.0	0.250	0.14	20.0	-55
SLB109	3.0	0.280	0.15	20.0	-52
SLB110	3.0	0.300	0.14	20.0	-50
SLB111	3.0	0.320	0.25	20.0	-48
SLB112	4.0	0.250	0.20	20.0	-55
SLB113	4.0	0.280	0.15	20.0	-52
SLB114	4.0	0.300	0.12	20.0	-50
SLB115	4.0	0.320	0.15	0.35	-48

Medium Barrier Schottky Diodes

Part Number	Breakdown Voltage @ 10 μA MIN (V)	Forward Voltage @ 1 mA MAX (V)	Junction Capacitance @ 0 Vdc 1 Mhz TYP (pF)	Series Resistance @ 5 mM TYP (Ohms)	Tangential Signal Sensitivity TYP (dB)
SMB200	3.0	0.400	0.14	20.0	-52
SMB201	3.0	0.400	0.20	20.0	-50
SMB202	3.0	0.400	0.12	20.0	-48
SMB203	3.0	0.400	0.14	20.0	-45
SMB204	4.0	0.425	0.15	20.0	-52
SMB205	4.0	0.425	0.15	20.0	-50
SMB206	4.0	0.425	0.12	20.0	-48
SMB207	4.0	0.425	0.14	20.0	-45
SMB208	4.0	0.450	0.14	20.0	-52
SMB209	4.0	0.450	0.15	20.0	-50
SMB210	5.0	0.450	0.14	20.0	-48
SMB211	5.0	0.450	0.25	20.0	-45
SMB212	5.0	0.475	0.21	20.0	-52
SMB213	5.0	0.475	0.15	20.0	-50
SMB214	5.0	0.475	0.12	20.0	-48
SMB215	5.0	0.475	0.15	20.0	-45

High Barrier Schottky Diodes

Part Number	Breakdown Voltage @ 10 μA MIN (V)	Forward Voltage @ 1 mA MAX (V)	Junction Capacitance @ 0 Vdc 1 Mhz TYP (pF)	Series Resistance @ 5 mM TYP (Ohms)	Tangential Signal Sensitivity TYP (dB)
SHB300	5.0	0.500	0.14	25.0	-52
SHB301	5.0	0.500	0.20	25.0	-50
SHB302	5.0	0.500	0.12	25.0	-48
SHB303	5.0	0.500	0.14	25.0	-45
SHB304	5.0	0.525	0.15	25	-52
SHB305	5.0	0.525	0.15	25.0	-50
SHB306	5.0	0.525	0.12	25.0	-48
SHB307	5.0	0.525	0.14	25.0	-45
SHB308	6.0	0.550	0.14	25.0	-52
SHB309	6.0	0.550	0.15	25.0	-50
SHB310	6.0	0.550	0.14	25.0	-48
SHB311	6.0	0.550	0.25	25.0	-45
SHB312	6.0	0.600	0.21	25.0	-48
SHB313	6.0	0.600	0.15	25.0	-45
SHB314	6.0	0.600	0.12	25.0	-42
SHB315	6.0	0.600	0.15	25.0	-40

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: 32 位 PSoC? 6 Arm? Cortex?-M4 / M0+微控制器Cypress