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RF-LAMBDA氮化鎵晶圓通常是在外界基板(例如藍寶石)上外延生長的單晶GaN薄層層析,一般板厚小于100μm。與獨立式GaN基板相比較,RF-LAMBDA氮化鎵晶圓僅是元器件生產商中的一種替代解決方案,其技術優勢受限。然而,在高容量和低成本生產制造的前提下,RF-LAMBDA氮化鎵晶圓能夠在LED生產中替代藍寶石,從而提升下游MOCVD反應裝置高至50%的產能。此外,RF-LAMBDA氮化鎵晶圓一般比在藍寶石上生長的MOCVD GaN具備較低的位錯密度。這對于UV元器件來說是個有利因素,因為它比藍色LED對位錯密度更加敏感。
珠海市立維創展科技欧美在线一区二区-亚洲欧美综合-欧美国产一区二区-国产欧美一区二区是RF-LAMBDA的銷售商, RF-LAMBDA的好產品屬于:無源掌控接口,有源掌控接口,帶寬功效放小器,窄帶PA和驅動下載放小器,服務產生方式線均不同新加坡軍工的技術規范規定與產生方式制作,,慢慢廣泛的靈活運用于民航工業,民航,軍工儀器,衛星影像移動通訊,雷達天線等高端大氣水利工作。
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氮化鎵性質 | 范本行 | 基面材料截面積 | 尺寸 (μm) | Marcodefect 硬度 | 熱敏電阻率 (Ω·cm) | 薄厚誤差 (±μm) | |
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GT.005.02.NB3 | 氮化鎵模板下載 | 添加 (N+) | 3" | 5 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 0.25 |
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GT.005.02.SEMI.B.2 | 氮化鎵模板制作 | 半隔絕 | 2" | 5 | <10/cm2 | 10 9 -10 12 | 0.25 |
GT.005.02.SEMI.B.3 | 氮化鎵模板圖片 | 半隔絕 | 3" | 5 | <10/cm2 | 10 9 -10 12 | 0.25 |
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GT.005.10.NB2 | 氮化鎵模版 | 添加 (N+) | 2" | 5 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 0.25 |
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GT.020.02.SEMI.B.4 | 氮化鎵模板免費 | 半絕緣帶 | 4" | 20 | <10/cm2 | 10 9 -10 12 | 1.00 |
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GT.050.02.NB3 | 氮化鎵樣例 | 夾雜 (N+) | 3" | 50 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 2.50 |
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GT.100.02.NB2 | 氮化鎵模板開發 | 夾雜著 (N+) | 2" | 100 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 2.50 |
GT.100.02.NB3 | 氮化鎵模板制作 | 添加 (N+) | 3" | 100 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 2.50 |
GT.100.02.NB4 | 氮化鎵模版 | 摻入 (N+) | 4" | 100 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 2.50 |
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GT.100.02.UD.B.2 | 氮化鎵模板免費 | 未添加 (N-) | 2" | 100 | <10/cm2 | 0.5 | 2.50 |
GT.100.02.UD.B.3 | 氮化鎵摸版 | 未參雜 (N-) | 3" | 100 | <10/cm2 | 0.5 | 2.50 |
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GT.100.10.NB2 | 氮化鎵網站模板 | 夾雜著 (N+) | 2" | 100 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 2.50 |
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GT.100.10.NB4 | 氮化鎵模板圖片 | 摻入 (N+) | 4" | 100 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 2.50 |
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RFGB.CP.NB10 | 條狀氮化鎵 | 添加 (N+) | 身體不可用于 | 430 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 5.00 |
RFGB.CP.NB18 | 條狀氮化鎵 | 夾雜 (N+) | 不舒服用 | 430 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 10.00 |
RFGB.CP.NB30 | 條狀氮化鎵 | 參雜 (N+) | 不舒適于 | 430 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 25.00 |
RFGB.CP.SEMI.B.10 | 條狀氮化鎵 | 半耐壓 | 痛感用 | 430 | <10/cm2 | 109-1012 | 5.00 |
RFGB.CP.SEMI.B.18 | 顆粒狀氮化鎵 | 半隔絕 | 惡化的情況用 | 430 | <10/cm2 | 109-1012 | 10.00 |
RFGB.CP.SEMI.B.30 | 顆粒狀氮化鎵 | 半接地 | 不適反應用 | 430 | <10/cm2 | 109-1012 | 25.00 |
RFGB.CP.UD.B.10 | 顆粒狀氮化鎵 | 未參雜 (N-) | 惡化的情況用 | 430 | <10/cm2 | 0.5 | 5.00 |
RFGB.CP.UD.B.18 | 小塊氮化鎵 | 未參雜 (N-) | 不合可用 | 430 | <10/cm2 | 0.5 | 10.00 |
RFGB.CP.UD.B.30 | 條狀氮化鎵 | 未參雜 (N-) | 隱疼用 | 430 | <10/cm2 | 0.5 | 25.00 |