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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

以后，大家全力的工作成果引致無源GaN混頻器裝修裝修設計在輸出三階交調截點（IIP3）與本地網震蕩器（LO）控制器的百分比方向高出幾乎所有砷化鎵（GaAs）無源混頻器裝修裝修設計 - a高質量質數自定義MMIC正在慢慢創造自己曲線生產率。從S光波到K光波（2 GHz到19 GHz），此類多功能無源GaN混頻器展示板的IIP3羅馬數字遠要大于30 dBm，LO控制電平約為20 dBm，曲線生產率要大于10 dB。

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