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?CG2H80120D C波長GaN HEMT 存儲芯片CREE

頒布時間:2022-11-16 16:53:01     手機瀏覽:833

Wolfspeed的CG2H80120D是種氮化鎵(GaN)高智能電子轉入率單晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵比起較,GaN享有來詢越的特點;CG2H80120D構成更加高損壞場強;更加高飽滿光電子漂移傳送速度;和更加高熱導率。與Si和GaAs氯化鈉晶體管比起較,CG2H80120D具備著更加高瓦數導熱系數和更寬的服務器帶寬。

特證

120W著名PSAT

28伏反控

高電壓擊穿場強

低溫度控制電腦

高至8GHz的操控性

高效益率

應用

2路轉用無線網無線通訊

移動寬帶拖動器

蜂窩基本配制建設規劃

檢測裝置

ClassA;AB;常見用到OFDM的非線性縮放器;無線wifi頻分多址;角處;CDMA弧形

CREE(科銳)創辦于1987年,CREE科銳符合30很多年的聯通寬帶GAP原相關材料料和去創新品牌,CREE科銳就是一個完好的設置達成合作企業合作,符合國家rf射頻的市場需求,CREE科銳為行行業技術機械設備優勢的工具機械設備打造更強的工作功率和更低的模塊消耗。CREE科銳由最開使的GaN基本的材質材料LED新產品的水平技術型全環境,到微波頻射頻射與厘米波處理芯片新產品的,CREE科銳于2017年分開出微波加熱rf射頻的品牌Wolfspeed,以寬帶網絡、大熱效率拖動器品牌為特性。

成都市立維創展創新科技是CREE的生產商商,有了CREE徽波功率器件優點購貨橋梁,并長久的銷量現貨交易,以供我們市面 實際需求。

商品詳情頁知曉CREE微波射頻射頻微波射頻請鼠標單擊://www.yhme.cn/brand/35.html

CG2H80120D.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80120D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

120 W

>12 dB

65%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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