欧美在线一区二区-亚洲欧美综合-欧美国产一区二区-国产欧美一区二区

API SAW Oscillators可以用存儲芯片衰減器

分享日子：2022-10-14 16:33:54 挑選：923

API SAW Oscillators可用芯片衰減器設計適用于在其它工作頻率、溫度與功率水平上平均減少信號功率。API SAW Oscillators可用芯片衰減器適合于功率放大電路、接收器、上/下轉換器、相位匹配陣列和交換網絡。API SAW Oscillators可用芯片衰減器的標準配備為鍍錫無鉛焊錫端子，或鍍錫鉛焊錫和金做為其他表層處理選擇。其他dB值，工作頻段和實現選擇可以根據需要提供。

API SAW Oscillators需用集成塊衰減器的設計的的原因是均勻分布的減低頻射網絡信號的工作電壓，一同只轉變成極小值的條件反射，雖然在非常大工作電壓現象下。

特征描述

厚膜定制

高電機功率

手機無線無線廣泛應用

API Tech為全各地高安全安全可靠性的行業具備SAW振動器。API Tech適用特低相環境躁聲表濾波器，其相位環境躁聲效能超低。API的SAW物料可作為頻段范圍圖為100MHz至4000MHz，非常是和空航航天部采用層面。API Tech展示安全穩定平率、電壓電流操縱和鎖相自由振蕩器。

成都市立維創展科技廠家非常有限廠家，致力API SAW Oscillators非常低的相噪SAW晶振好產品選擇賣，速度最快2-4周完工。

內容知道API SAW Oscillators請點擊：//www.yhme.cn/brand/60.html

Available Chip Attenuators

Model	Power (Watts)	Frequency (GHz)	Ceramic Substrate	Resistor Film	Wrap Options	Finish Option	Width (Inches)	Length (Inches)	Height (Inches)
1KNA250	250	1	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.375	0.040
2KNA100	100	2.3	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.350	0.225	0.040
2KNA150	150	1.9	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.250	0.040
2KNA250	250	2.3	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.500	0.500	0.040
3KNA100	100	3	AlN	Thin	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.250	0.040
40PCA3060	1.0	40	Alumina	Thin		T, H, G	0.035	0.065	0.010
KPA10	10	4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.100	0.200	0.040
KPA100	100	0.5	BeO	Thin	G	N, T, H	0.500	0.500	0.40
KPA1020S	20	8	BeO	Thin		N,T,H,G	0.100	0.200	0.040
KPA20	20	4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.250	0.250	0.040
KPA50	50	1	BeO	Thin	G	N, T, H	0.375	0.375	0.040
PCA	1.5	12.4	Alumina	Thin		N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
PCA3060	1.0	30	Alumina	Thin		T, H, G	0.035	0.065	0.010
PCAA	0.75	18	Alumina	Thin		N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
PCAAF	0.75	8	Alumina	Thin	F	N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
PCAAL	0.75	18	Alumina	Thin	Tabbed	G, T, H	0.060	0.075	0.040
PCAAW	0.75	18	Alumina	Thin	W	N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
PCAF	1.5	4	Alumina	Thin	F	N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
PCAL	1.5	12.4	Alumina	Thin	Tabbed	G, T, H	0.125	0.150	0.040
PCAW	1.5	12.4	Alumina	Thin	W	N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
TPA100	100	0.4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.500	0.500	0.040

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: MIS 電容器SemiGen