推出事件:2022-07-20 16:36:43 打開網頁:889
CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率、高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合在40V和高擊穿電壓下作業在10MHz至18GHz的各種技術應用。
特征英文
17dB一般。10GHz時的小警報增加收益值
60%主要值。10GHz時的PAE
6W舉例Psat
40伏調節
高至18GHz的調節
用途
衛星信號移動通訊
PTP電力接入
島嶼雷達探測
旅游船汽車雷達
港灣國際船舶交行產品
移動寬帶調大器
極有率率縮放器
CREE(科銳)建成于1987年,CREE科銳應具30十幾年的光纖寬帶GAP原原料選用料和科學創產品設備,CREE科銳不是個系統的的設計聯合好伙伴,復合頻射的各種需求,CREE科銳為行同行業水平進取的機器人機 給出更強的公率和更低的性能損耗費。CREE科銳由最已經開始的GaN材料的特性LED新車輛技術工藝前沿全世紀,到微波通信微波射頻與毫米左右波電源芯片新車輛,CREE科銳于2017年剝離 出徽波rf射頻企業品牌Wolfspeed,以寬帶網絡、大工作效率變成器廠品為廣州特色。
成都市立維創展社會是CREE的經銷處商,具有CREE紅外光配件主要優勢供貨合同推廣方式,并長久庫存管理現貨交易,以供中國有行業供給。
詳細情況明白CREErf射頻微波射頻請彈框://www.yhme.cn/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGHV1J006D-GP4 | GaN on SiC | DC | 18 GHz | 6 W | 17 dB | 60% | 40 V | Discrete Bare Die | Die |