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NEL Frequency Controls通常分娩創造應用小行、金橋銅業跨接線的截面積大小縮放芯片封裝的低好相位噪音高溫賠賞結晶振蕩器器 (TCXO)。需要高頻率、完全表征、“同類最佳”相位噪聲晶體振蕩器的用戶選擇NEL Frequency Controls頻率的調節來需要滿足業主的前面標準規定要求。可假設按照標準規定要求展示 超高相位噪音污染溫度補償費用氯化鈉晶體振動器 (TCXO)app大力支持。
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兼具低 G 機靈度的超底相位的噪音 | |
封裝和款型稱謂 | 特征英文 |
8 Pad | 17 x 14 x 6 mm | 10.0 - 125.0 MHZ Sine |
兼有低 G 機靈度的鎖相解決 ULPN | |
打包和系列的種類 | 表現 |
SMD 41 x 30 x 5.6 mm l 8 pads | 低 G 精確度度 (0.5 ppb/G) Sine |
41 x 30 x 5.6 mm l 8 Pad | 搜索:10.0MHz Sine |
“Europack” | 8 pin | 36 x 27 mm | 100 MHz 工作輸出 |
超高相位燥聲外表面貼裝 | |
彩盒和系列表名稱 | 速度標準、 |
5 pin | 36 x 27 mm | 獨角獸高達 2.0 GHz 極高頻的范圍
3.3V |
7Pad| 25 x 22 mm | 30.0 MHz - 2.0 GHz 過高頻標準 CMOS 3.3V |
7Pad| 25 x 22 mm | 多達 1.0 GHz 高頻空間 CMOS 3.3V |
7Pad| 25 x 22 mm | 將高達 2.0 GHz 超標頻標準 CMOS 3.3V |
8 Pad | 17 x 14 mm | 700.0 MHz - 2.0 GHz 低背景噪聲模擬訓練諧波倍頻 PECL/LVPECL
|
8 Pad | 17 x 14 mm | 10.0 – 250.0 MHz 愈來愈高的概率 大中型 SMD 封裝形式 苛刻的速度增強性 Sine 3.3V |
8 Pad | 17 x 14 x 6 mm | 10.0 – 200.0 MHz 兼備突出熱度平衡性的低頻 CMOS Stratum3 需用 3.3V |
8 Pad | 17 x 14 mm | 10.0 - 200.0 MHz 非常好的的濕度不穩性高頻 CMOS 3.3V |
太低相位嗓聲外層貼裝 | |
包裝和系列作品名字大全 | 頻率空間、 |
6Pad| 14 x 9 mm | 12.0 - 125.0 MHz 高頻率 CMOS/LVCMOS 1.8V |
超低相位噪音 薄型表皮貼裝 | |
再生和系列作品名稱大全 | 頻次位置、 |
4Pad| 7.5 x 5.2 mm | 12.8 - 120.0 MHz 相對低的相位噪音污染 HCMOS 2.5V |
6Pad| 7.5 x 5.2 mm | 10 - 120.0 MHz 特別低的相位躁音 LVDS 2.5V |
6Pad| 7.5 x 5.2 mm | 12.8 - 120.0 MHz 更加低的相位環境噪聲 LVDS 2.5V |
從表面貼裝 | |
木箱和系列表稱呼 | 頻率空間、 |
6 J Leads | 14 x 9 mm | 10.0 - 52.0 MHz CMOS 3.3V |