披露時候:2022-01-21 17:09:18 預覽:1213
與硅相比較,Cypress 氮化鎵(GaN )尖晶石管應具實質的優越性。非常是與硅MOSFET比起來較,高臨界狀態電場線迫使GaN -HEMT具備著良好的動態數據導通內阻和較小的電容(電容器),格外最適合于繞城高速控制開關應用范疇范疇。后來,Cypress 氮化鎵多晶體管也也可以在影響超負荷時間段的環境下操作,以加快事情效應并做完被動技能冷去。在高轉換開關頻段下操作也也可以下降無源器材的面積,故而提高自己GaN HEMT的很安全正規性和總電率密度計算。
Cypress GaN 熱效率結晶管最終要的特色是其反向的方式給回恢復正常性能指標。伴隨英飛凌的Cool GaN ?晶胞管不能有些微電子流和體二級管,與此同時它是時未顯現反向的方式給回完全恢復。由于,還可以選取紋章極PFC等硬旋轉開關拓撲關系來完全更高的的效果,隨后在數據表格主和功能器電源開關中,所以避免浪費再生能源并減少開利潤。
英飛凌的Cool GaN ?是的效率率的氮化鎵尖晶石管系統APP,可在高至600V的電阻領域內實現最大功率更換。難能可貴在半導體材料餐飲行業股票市場的豐富性體驗,英飛凌的GaN 系統應運進行端到端大人數制造使e的模式觀念早熟。進階性的類產產品品產品擔保了更高標淮化,并展示 了職業的市場上所有的GaN HEMT中最穩定可靠、耐熱性最好是的滿足情況報告。
Cypress 通過Cool GaN ?按鈕交流電源電源線路具備著會高的燃料轉化率和馬力規格,這時最開始進的硅元器件封裝無非順利完成的。在200-250khz上面的中速率運營中,開關按鈕進程是不良影響能源系統互傳玩法的關鍵因素。英飛凌Cool GaN ?超快的打開速度慢可能到位微妙的電機負載時間段。其預期操作期效低于15年,裝置洛天依率低于1,用戶最該信任感其人身安全耐用性和物料質量。
廣州 市立維創展社會就是家針對一級代生產商商,常見提供了微波射頻耗油率放小器存儲芯片和國外進口交流電源電源模塊設備,一級代項目包含了AMCOM、PICO、Cyntec、CUSTOM MMIC、RF-LAMBDA、ADI、QORVO、MA-COM、SOUTHWEST西南地區紅外光射頻等,立維創展致力于為雇主帶來高類產品、高品品質、價格房屋公證的紅外光射頻元配件類產品。
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Product | Infineon Package name | Technology | VDS max [V] | RDS (on) max [?] | QG [C] | Mounting | OPN | ID max [A] | IDpuls max [A] | ID @25°C max [A] |
IGT40R070D1 | PG-HSOF-8 | CoolGaN ? | 400 | 70 | 4.5 | SMT | IGT40R070D1ATMA1 | 31 | 60 | 31 |
IGO60R070D1 | PG-DSO-20 | CoolGaN ? | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGO60R070D1AUMA2 | 31 | 60 | 31 |
IGOT60R070D1 | PG-DSO-20 | CoolGaN ? | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGOT60R070D1AUMA3 | 31 | 60 | 31 |
IGLD60R070D1 | PG-LSON-8 | CoolGaN ? | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGLD60R070D1AUMA3 | 15 | 60 | 15 |
IGT60R070D1 | PG-HSOF-8 | CoolGaN ? | 600 | 70 | 5.8 | SMT | IGT60R070D1ATMA4 | 31 | 60 | 31 |
IGLD60R190D1 | PG-LSON-8 | CoolGaN ? | 600 | 190 | 3.2 | SMT | IGLD60R190D1AUMA3 | 10 | 23 | 10 |