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AMCOM微波射頻晶狀體管GaAs FET

發部時候：2020-09-15 15:12:31     閱讀：1852

AMCOM砷化鎵場作用納米線管(GaAs FET)就是種專業用到中頻、超中頻和紅外光微波射頻拖動電路設計的場效果結晶管。AMCOMrf射頻多晶體管GaAs FET的頻率范圍跨越電磁輻射譜，從30 MHz到紅外波段。AMCOM頻射納米線管GaAs FET以其靈敏度而聞名，而GaAs FET產生的內部噪聲很小。這主要是由于GaAs具有很強的載流子遷移率。電子可以輕易、快速地穿過半導體材料。AMCOM頻射多晶體管GaAs FET就是種耗掉配件，這象征著當把控好電級如果沒有直流的電壓時，它會導電，當柵極有直流的電壓時，溝道純水電導率會減少。

在弱信號燈移動網絡通訊和廣播節目收到領域，AMCOMRF結晶體管GaAs FET的耐熱性高于一般數其它類別的場調節作用多晶體管。其他類別的GaAs FET也代替rf射頻額定功率縮放器。GaAs FET也用在地球通信網、射電天文學和無限電嗜好者所做的工作。

AMCOMrf射頻結晶管GaAs FET含有較好的線形度。

南京市立維創展網絡是AMCOM經銷處商，技術專業提拱AMCOM產品設備系統主要包括：頻射多晶體管、MMIC最大電率拖動器、混后拖動器組件、寬帶網絡拖動器、高最大電率拖動器組件、帶RF和DC聯接器的高額定工作功率調小器功能模塊和低的噪音調小器，額定工作功率調小器，面板開關，衰減器，移相器或者上/下面調頻器的制定等，產品設備原版進口，質量管理保障，熱情接待咨詢服務。

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 AMCOM.png

仿真模型

頻率（GHz）

最大頻率（GHz）

增益（dB）

P1音貝（dBm）

IP3（dBm）

偏差（V）

AM010MH4-BI-R

交流電電

3

19

31

46

-28

AM030MH4-BI-R

直流電源電

3

19

36

49

-28

AM006MX-QG-R

直流電壓電

6

13

22

34

-5

AM012MX-QG-R

電流電

6

13.5

25

37

-5

AM024MX-QG-R

直流電壓電

6

13

28

39

-5

AM036MX-QG-R

交流電電

6

12

29.5

42

-5

AM048MX-QG-R

交流電電

6

11

31

43

-5

AM072MX-CU-R

交流電電

6

11

34

46

-7

AM100MX-CU-R

直流電電

6

10

35

48

-7

AM150MX-CU-R

直流變壓器電

6

10

36.5

50

-7

AM200MX-CU-R

直流電壓電

6

10

38

48

-7

AM300MX-CU-R

直流電電

6

9

39.5

51

-7

AM005MH2-BI-R

直流變壓器電

6

15

25

40

-14

AM010MH2-BI-R

直流電電

6

15

28

43

-14

AM032MH4-BI-R

直流電壓電

6

19

36

49

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