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GaN就是種至關平穩的類化合物，具備著很好的原子核鍵、高的熱導率、較高的電離度和穩界定的物理化學平穩性，這表明GaN配件比Si和GaAs都具有更強的抗輻射危害功能。同時，GaN是一個種高溶點、高導電性的相關材料。GaN馬力電子器件一般來說以SiC為襯底，兼有好的熱導率，如此GaN輸出元器件封裝具備著較高的結溫潤低溫運轉力量。

GaN高電子轉至率晶胞管(HEMT)莫染為5G大一些的移動信號塔電功效調大器的大眾化備選系統，考慮到其固定性的高穿透的電壓、高電功效相對密度、大帶寬使用和高率，己成為5 G移動信號塔先選半導體芯片技術。

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離散公率GaN HEMT