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XC2100E-03S是一種低剖面，高性能的3dB混合耦合器在一個新的易于使用，制造友好的表面安裝包。它是為NMT波段應用而設計的。XC2100E-03S是專為平衡功率和低噪聲放大器、信號分配和其他需要低插入損耗和緊密幅度相位平衡的應用而設計的。它可用于高達45瓦的大功率應用。零件經過嚴格的鑒定測試，并使用熱膨脹系數（CTE）與常見基板（如FR4、G-10、RF-35、RO4350和聚酰亞胺）兼容的材料制造。可用于5/6錫鉛（XC2100E-03S）和6/6符合RoHS標準的浸錫（XC2100E-03S）。

XC2100E-03S基本特征：

?2.0 - 2.3GHZ

?不高出

?無比低的消耗的資金

?緊密聯系波幅平衡點

?高分隔度

?生產友愛型

?磁帶和卷盤

?提供了無鉛（無解釋）或錫鉛

?可靠，擬合度=0.53

XC2100E-03S最重要叁數

幀率（GHZ）：2.0 - 2.3

工作電壓（W）：100

回波損耗費（dB）：24.9

嵌入損失（dB）：0.12

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