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X3C35F1-03S低剖面、高能的3dB攪拌耦合電路器

發布新聞準確時間:2020-04-13 11:37:47     挑選:2030

X3C35F1-03S是一種低剖面、高性能的3dB混合耦合器,采用一種易于使用、制造友好的表面安裝組件。X3C35F1-03S是專為平衡功率和低噪聲放大器、信號分配和其他需要低插入損耗和緊密振幅和相位平衡的應用而設計的。它可以用于25瓦以下的大功率應用。零件經過嚴格的鑒定測試,并使用熱膨脹系數(CTE)與常見基板(如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺)兼容的材料制造。采用符合6/6 RoHS標準的浸錫處理工藝生產.

X3C35F1-03S低剖面、高性能的3dB混合耦合器

X3C35F1-03S的特征:

3300-3700兆赫

高電率

尤其低的材料耗費

密切協作幅值平衡量

高消毒度

制作友善型

磁帶和卷盤

無鉛

X3C35F1-03S重要的叁數

頻率(GHZ):3.2 - 4.2

熱效率(W):25

回波自然損耗(dB):23

導入衰減(dB):0.20

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