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HMC219B是款超小規模通用性雙穩定混頻器，分為8引腳超小規模塑表貼打包封裝，帶裸露出焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單集成式塊微波通信集成式電線(MMIC)混頻器分為砷化鎵(GaAs)重金屬半導體芯片場負效應多晶體管(MESFET)生產工藝研制，必須冗余元電子元器件封裝或配備電線。該電子元器件需用作率規模為2.5 GHz至7.0 GHz的上直流直流變頻空調空調器、下直流直流變頻空調空調器、雙相熬制器或相位是比較器。 立維創展HMC219B應用歷經優化方案的巴倫結構特征，帶來不錯的本振(LO)至微波射頻(RF)底部防曬隔離霜及LO至中頻(IF)底部防曬隔離霜耐腐蝕性。適用RoHS規范的HMC219B沒有線焊，與高儲電量表貼加工制造水平兼容。MMIC耐腐蝕性穩定可靠可提生系統任務成功率并加強組織領導適用HiperLAN、U-NII和ISM相關法律法規規范。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE選用

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖